愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,（32.768KHZ）系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的壓電晶體應用范圍也比較廣闊,所有的時記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域.是對應陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領域的一種性價比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機、筆記本電腦、移動電話等.等用途.
愛普生晶振,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振,2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質量輕等產(chǎn)品特點,產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對應）,為無鉛產(chǎn)品.
石英晶振的切割設計：用不同角度對石英晶振的石英晶棒進行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質，壓電性質，溫度性質不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。
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型號 |
符號 |
參數(shù) |
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輸出規(guī)格 |
- |
CMOS |
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輸出頻率范圍 |
fo |
2.375~60MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
2.7~3.63V |
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頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
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保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
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運行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃,-40-+85℃ |
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消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
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待機時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
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輸出負載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
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波形對稱 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
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0電平電壓 |
VOL |
- |
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1電平電壓 |
VOH |
- |
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上升時間 下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
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差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
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差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
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補償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
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補償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
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交叉點電壓 |
Vcr |
- |
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OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
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OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
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輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
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輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
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周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
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tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
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總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
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相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
愛普生有源進口MHZ振蕩器型號列表:
愛普生有源進口MHZ振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SED
66.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
74.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
60.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
72.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-211SCE
12.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 6.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
8.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
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Model | Frequency | LxWxH |
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I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0029410013 | SG-210SED | 66.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0029410014 | SG-210SED | 74.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0029410016 | SG-210SED | 60.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0029410018 | SG-210SED | 72.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0036210006 | SG-211SCE | 12.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-20 ppm | ≤ 3.5 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0036210007 | SG-211SCE | 54.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-15 ppm | ≤ 6.0 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0036210009 | SG-211SCE | 25.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-20 ppm | ≤ 3.5 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0036210010 | SG-211SCE | 8.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-20 ppm | ≤ 3.5 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % |
OSC振蕩器自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。愛普生晶振,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響2520晶振頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至石英貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。
我們的活動、產(chǎn)品和服務首先要遵守和符合有關環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產(chǎn)中所使用的有毒有害物質的替代,本著污染預防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器,低損耗晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會形象.愛普生晶振,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振
愛普生晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會的期望,改進的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少2520mm石英晶振形式的廢物來實現(xiàn)這一承諾.愛普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個運行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當?shù)娜肆Y源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進的目標和指標.
環(huán)境行為評價：評價我們運行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠將方針與各自工作職責完全結合的培訓.加強環(huán)境意識教育,提高環(huán)境意識,充分調動職工的積極性,積極使用溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）,2520貼片石英晶振,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關方施加環(huán)境影響.
聯(lián)系人：龔成
QQ：769468702
手機：13590198504
郵箱:[email protected]
網(wǎng)站:http://ellentracy.cn
愛普生晶振,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振
