京瓷晶振,貼片晶振,KT5032晶振

產(chǎn)品簡介

5032mm體積的溫補晶振（TCXO）,是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對應(yīng)IC可能) 高度：最高0.8 mm,體積：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.

產(chǎn)品詳情

京瓷晶振,貼片晶振,KT5032晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
有源晶振頻率越高一般價格越高。但頻率越高，頻差越大，從綜合角度考慮，一般工程師會選用頻率低但穩(wěn)定的晶振，自己做倍頻電路?？傊?a href="http://ellentracy.cn/LVPECL.html" title="差分晶振" target="_blank">差分晶振是根據(jù)需要去選擇合適的頻率，并不是晶振頻率越大就越好。要看具體需求。比如基站中一般用10MHz的恒溫晶振（OCXO），因其有很好的頻率穩(wěn)定性，屬于高端晶振。至于范圍，晶振的頻率做的太高的話，就會失去意義，因為有其他更好的晶振頻率產(chǎn)品代替。

京瓷晶振規(guī)格	單位	晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	10-40MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://ellentracy.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF ～ ∞	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

KT5032_5.0_3.2 TCXO

一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：

鎘和CG是外部負(fù)載電容，其中已建成的芯片組。（請參閱芯片組的規(guī)格）

Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。

Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。

一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。

例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，貼片晶振IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)

（2）從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值。

（3）振蕩期間測量R的值。

（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。

如果晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。

采用具有較低電阻（RR）的有源晶振。

使用光盤和CG的不等價的設(shè)計。我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間，以驅(qū)動后端電路。

但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助，如果你的問題不能得到解決。系統(tǒng)無法運行，因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅。

京瓷晶振,貼片晶振,KT5032晶振

京瓷晶振全體員工都積極地投身環(huán)?；顒?希望能夠在兼顧環(huán)保性和經(jīng)濟(jì)性的同時,實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。希望通過實踐京瓷哲學(xué),解決CSR課題,并構(gòu)建與利益相關(guān)者相互信賴的關(guān)系,實現(xiàn)集團(tuán)的可持續(xù)發(fā)展,石英晶體振蕩器同時為社會的健全發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

京瓷晶振的各項能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平。實施創(chuàng)新戰(zhàn)略，提高自主創(chuàng)新能力，確保公司可持續(xù)發(fā)展。實施節(jié)約戰(zhàn)略，提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力，確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo)。

京瓷晶振集團(tuán)希望銷售的所有無線路由溫補晶振產(chǎn)品都能為地球環(huán)保做貢獻(xiàn)，因此致力于開發(fā)環(huán)境友好型產(chǎn)品。

通過這些努力，在2015年度，日本京瓷晶振環(huán)保商品的比例達(dá)到了99%。今后，京瓷晶振集團(tuán)將繼續(xù)開展相關(guān)活動，為提供更多環(huán)境友好型產(chǎn)品而努力。尤其是在節(jié)能、溫室效應(yīng)對策方面,引進(jìn)節(jié)能設(shè)備、安裝太陽能發(fā)電系統(tǒng)、實施墻面綠化等開展了一系列節(jié)能活動。

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