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愛(ài)普生晶振,插件晶振,C-002RX晶振,Q11C02RX1001100晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：2*6mm

插件石英晶振適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在惡劣嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/U形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無(wú)受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：0755-27876236

愛(ài)普生株式會(huì)社愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng),（EPSON — YOCOM）1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛(ài)普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電晶體,1996年2月在中國(guó)蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

愛(ài)普生晶振,插件晶振,C-002RX晶振,Q11C02RX1001100晶振,引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉(cāng)庫(kù)長(zhǎng)時(shí)間大量庫(kù)存常用頻點(diǎn),高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負(fù)載電容.49/U石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的俱佳選擇.符合RoHS/無(wú)鉛.

超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì)：石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng)，面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng)，從而造成如若32.768K晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問(wèn)題，公司在此方面通過(guò)理論與實(shí)踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

愛(ài)普生晶振規(guī)格參數(shù)	C-002RX晶振
頻率范圍	32.768KHZ
頻率穩(wěn)定度公差	±20ppm
工作溫度范圍	−10 ～+60 °C
等效串聯(lián)電阻	See ESR Table
負(fù)載電容	6pF
激勵(lì)功率	1.0μW
老化@ + 25°C	±3ppm/yr
絕緣電阻(@直流100 v)	500 Ohms @ DC 100V
儲(chǔ)存溫度范圍	-20°C to +70°C

愛(ài)普生千赫茲音叉晶振型號(hào)晶振:

Model/型號(hào)	Frequency/頻率	Oper. Temper. Range/工作溫度	ESR[MAX] 等效串聯(lián)電阻	Drive Level[Max]驅(qū)動(dòng)電平	Tumover Temperature	LxWxH/尺寸	Parabolic Coefficient	Freq.Aging@+25C[Max]	Terminal Plating
C-2	100.000000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 12 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-5 ppm	Sn-Cu
C-2	28.800000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 55 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-5 ppm	Sn-Cu
C-2	40.000000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 20 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-5 ppm	Sn-Cu
C-2	77.503000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 20 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-5 ppm	Sn-Cu
C-002RX	32.768000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Cu
C-002RX	32.768000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Cu
C-002RX	32.768000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Cu
C-002RX	32.768000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Cu
C-002RX	32.768000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Cu

愛(ài)普生千赫茲音叉晶振編碼晶振:

編碼	Model/型號(hào)	Frequency/頻率	Oper. Temper. Range/工作溫度	ESR[MAX] 等效串聯(lián)電阻	Drive Level[Max]驅(qū)動(dòng)電平	Tumover Temperature	LxWxH/尺寸	Parabolic Coefficient	Freq.Aging@+25C[Max]	Terminal Plating
Q12C20001049200	C-2	100.000000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 12 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-5 ppm	Sn-Cu
Q12C20001050000	C-2	28.800000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 55 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-5 ppm	Sn-Cu
Q12C20001051700	C-2	40.000000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 20 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-5 ppm	Sn-Cu
Q12C20001052200	C-2	77.503000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 20 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-5 ppm	Sn-Cu
Q11C02RX1001100	C-002RX	32.768000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Cu
Q11C02RX1001300	C-002RX	32.768000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Cu
Q11C02RX1001800	C-002RX	32.768000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Cu
Q11C02RX1002100	C-002RX	32.768000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Cu
Q11C02RX1002200	C-002RX	32.768000 kHz	-10 to +60 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	Φ 2 x 6 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Cu

C-001R C-002RX C-004R C-005R

晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?/span>音叉晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。愛(ài)普生晶振,插件晶振,C-002RX晶振,Q11C02RX1001100晶振

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1：抗沖擊:抗沖擊是指進(jìn)口晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。

4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致圓柱晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。

環(huán)境行為評(píng)價(jià)：評(píng)價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績(jī).我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).加強(qiáng)環(huán)境意識(shí)教育,提高全員環(huán)境意識(shí),充分調(diào)動(dòng)職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）,壓電石英晶體諧振器,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過(guò)程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響. 愛(ài)普生晶振,插件晶振,C-002RX晶振,Q11C02RX1001100晶振

愛(ài)普生晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)的環(huán)境行為,我們將通過(guò)有效利用森林、能源以及其它資源,減少音叉型2*6諧振器各種形式的廢物來(lái)實(shí)現(xiàn)這一承諾.愛(ài)普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo).

愛(ài)普生晶振集團(tuán)不斷改進(jìn)振設(shè)計(jì),優(yōu)化工藝,調(diào)整工廠布局,采取相應(yīng)措施,減少各種污染環(huán)境的因素,盡可能地節(jié)省資源和能源,積極保護(hù)廠區(qū)和周圍地區(qū)的環(huán)境,在本公司石英晶振,小尺寸插件晶振,壓電石英晶體、有源晶體的生產(chǎn)與經(jīng)營(yíng)過(guò)程中充分考慮對(duì)環(huán)境的影響,為人類的健康生存和持續(xù)發(fā)展作出貢獻(xiàn).

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2*6圓柱封裝晶振 C-002RX晶振 Q11C02RX1001100晶振

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