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愛普生晶振,貼片晶振,MC-146晶振,Q13MC1461000100晶振

頻率:32.768KHZ

尺寸:7.0*1.5mm

32.768K日產(chǎn)晶振具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊盤的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
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在2010年全球晶振廠家排名中,占據(jù)首位.愛普生僅此一項水晶振動子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費(fèi)在手機(jī),PCB,等電子產(chǎn)品.同時愛普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng)NO1.

愛普生晶振,貼片晶振,MC-146晶振,Q13MC1461000100晶振,貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊盤的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):7015音叉晶體是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。

愛普生晶振規(guī)格參數(shù) MC-146晶振
頻率范圍 32.768KHZ
頻率穩(wěn)定度公差 ±20,50ppm
工作溫度范圍  −40~+85 °C
等效串聯(lián)電阻 See ESR Table
負(fù)載電容 9,12.5pF
激勵功率 1.0μ
老化@ + 25°C ±3ppm/yr 
絕緣電阻(@直流100 v) 500 Ohms @ DC 100V
儲存溫度范圍 -55°C to +125°C

愛普生千赫茲音叉晶振型號晶振:

Model/型號 Frequency/頻率 Oper. Temper. Range/工作溫度 ESR[MAX]  等效串聯(lián)電阻 Drive Level[Max]驅(qū)動電平 Tumover Temperature LxWxH/尺寸 Parabolic Coefficient Freq.Aging@+25C[Max] Terminal Plating
FC-135 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC 3.2 x 1.5 x 0.9 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Au
FC-135 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC 3.2 x 1.5 x 0.9 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Au
FC-135 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC 3.2 x 1.5 x 0.9 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Au
FC-135 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC 3.2 x 1.5 x 0.9 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Au
MC-146 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC 7 x 1.5 x 1.4 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
MC-146 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC 7 x 1.5 x 1.4 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
MC-146 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC 7 x 1.5 x 1.4 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
MC-146 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC 7 x 1.5 x 1.4 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
MC-146 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC 7 x 1.5 x 1.4 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
MC-146 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC 7 x 1.5 x 1.4 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
MC-146 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC 7 x 1.5 x 1.4 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
愛普生千赫茲音叉晶振編碼晶振:

編碼 Model/型號 Frequency/頻率 Oper. Temper. Range/工作溫度 ESR[MAX]  等效串聯(lián)電阻 Drive Level[Max]驅(qū)動電平 Tumover Temperature LxWxH/尺寸 Parabolic Coefficient Freq.Aging@+25C[Max] Terminal Plating
Q13FC1350005700 FC-135 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC 3.2 x 1.5 x 0.9 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Au
Q13FC1350006000 FC-135 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC 3.2 x 1.5 x 0.9 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Au
Q13FC1350006100 FC-135 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC 3.2 x 1.5 x 0.9 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Au
Q13FC1350006300 FC-135 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 70 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC 3.2 x 1.5 x 0.9 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Au
Q13MC1461000100 MC-146 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC 7 x 1.5 x 1.4 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
Q13MC1461000200 MC-146 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC 7 x 1.5 x 1.4 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
Q13MC1461000400 MC-146 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC 7 x 1.5 x 1.4 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
Q13MC1461000600 MC-146 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC 7 x 1.5 x 1.4 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
Q13MC1461005200 MC-146 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC 7 x 1.5 x 1.4 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
Q13MC1462000100 MC-146 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC 7 x 1.5 x 1.4 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
Q13MC1462000200 MC-146 32.768000 kHz -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC 7 x 1.5 x 1.4 mm -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn

MC-146

PCB設(shè)計指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于無源音叉晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068--20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。愛普生晶振,貼片晶振,MC-146晶振,Q13MC1461000100晶振

存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存諧振器時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。

機(jī)械振動的影響:當(dāng)時鐘晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。  

為構(gòu)建循環(huán)型社會做出貢獻(xiàn),致力于減少溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器, 壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、7015貼片晶振、,貼片晶振材料的廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實力,推進(jìn)石英晶振,貼片晶振環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.愛普生晶振,貼片晶振,MC-146晶振,Q13MC1461000100晶振

愛普生晶振集團(tuán)所生產(chǎn)的壓電石英晶體、7015封裝音叉晶體,有源晶體,溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)完全符合ISO14001環(huán)境管理體系標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個適合、三個承諾和一個框架:建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動、產(chǎn)品以及服務(wù)過程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響;持續(xù)改進(jìn)——持續(xù)改進(jìn)環(huán)境績效和環(huán)境管理體系的承諾;

愛普生晶振集團(tuán)環(huán)?;纠砟睿鹤鳛榱己玫钠髽I(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.有效利用7015mm貼片諧振器資源和能源,認(rèn)識到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.

CA - 301晶振,柱面式石英晶體,引腳型插件晶振
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