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愛(ài)普生晶振,貼片晶振,MC-306晶振,Q13MC3061000200晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：8.0*3.8mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊盤(pán)的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

訂購(gòu)熱線：0755-27876236

因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術(shù),使工藝技術(shù)達(dá)到人無(wú)完人,史前無(wú)例,實(shí)現(xiàn)以基波方式產(chǎn)生2.5GHz為止高頻的表面聲波（SAW）元器件.愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)把半導(dǎo)體（IC）稱之為“產(chǎn)業(yè)之米”,并認(rèn)為晶體元器件更是離不開(kāi)的“產(chǎn)業(yè)之鹽”.將進(jìn)一步致力于小型、高穩(wěn)定、高精度晶體元器件的開(kāi)發(fā),為現(xiàn)有的應(yīng)用程序以及生活新藍(lán)圖開(kāi)拓廣闊前景. 　愛(ài)普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)的晶振元器件已以23%的市場(chǎng)占有率位于業(yè)界第一.

愛(ài)普生晶振,貼片晶振,MC-306晶振,Q13MC3061000200晶振,貼片石英晶體諧振器，又簡(jiǎn)稱為排帶包裝，這是這產(chǎn)品采用排帶盤(pán)式包裝，使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動(dòng)貼片機(jī)高速的焊接，大大節(jié)約人工，提高工作效率。32.768KHz千赫子時(shí)鐘晶體，其本身主要應(yīng)用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品，或者是控制模塊，主要給時(shí)鐘芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào)，其主要各項(xiàng)功能還得看應(yīng)用何種產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。

愛(ài)普生晶振規(guī)格參數(shù)	MC-306晶振
頻率范圍	32.768KHZ
頻率穩(wěn)定度公差	±20,50ppm
工作溫度范圍	−40～+85 °C
等效串聯(lián)電阻	See ESR Table
負(fù)載電容	6~12.5pF
激勵(lì)功率	1.0μW
老化@ + 25°C	±3ppm/yr
絕緣電阻(@直流100 v)	500 Ohms @ DC 100V
儲(chǔ)存溫度范圍	-55°C to +125°C

愛(ài)普生千赫茲音叉晶振型號(hào)晶振:

Model/型號(hào)	Frequency/頻率	Oper. Temper. Range/工作溫度	ESR[MAX] 等效串聯(lián)電阻	Drive Level[Max]驅(qū)動(dòng)電平	Tumover Temperature	LxWxH/尺寸	Parabolic Coefficient	Freq.Aging@+25C[Max]	Terminal Plating
MC-146	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 65 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	7 x 1.5 x 1.4 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Pure-Sn
MC-146	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 65 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	7 x 1.5 x 1.4 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Pure-Sn
MC-146	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 65 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	7 x 1.5 x 1.4 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Pure-Sn
MC-146	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 65 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	7 x 1.5 x 1.4 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Pure-Sn
MC-146	32.000000 kHz	-40 to +85 °C	≤ TBD KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	7 x 1.5 x 1.4 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-5 ppm	Sn-Bi
MC-306	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	8 x 3.8 x 2.54 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Bi
MC-306	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	8 x 3.8 x 2.54 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Bi
MC-306	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	8 x 3.8 x 2.54 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Bi
MC-306	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	8 x 3.8 x 2.54 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Bi
MC-306	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	8 x 3.8 x 2.54 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Bi

愛(ài)普生千赫茲音叉晶振編碼晶振:

編碼	Model/型號(hào)	Frequency/頻率	Oper. Temper. Range/工作溫度	ESR[MAX] 等效串聯(lián)電阻	Drive Level[Max]驅(qū)動(dòng)電平	Tumover Temperature	LxWxH/尺寸	Parabolic Coefficient	Freq.Aging@+25C[Max]	Terminal Plating
Q13MC1462002200	MC-146	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 65 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	7 x 1.5 x 1.4 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Pure-Sn
Q13MC1462003700	MC-146	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 65 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	7 x 1.5 x 1.4 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Pure-Sn
Q13MC1462005300	MC-146	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 65 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	7 x 1.5 x 1.4 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Pure-Sn
Q13MC1462005900	MC-146	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 65 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	7 x 1.5 x 1.4 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Pure-Sn
Q14MC1461001300	MC-146	32.000000 kHz	-40 to +85 °C	≤ TBD KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	7 x 1.5 x 1.4 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-5 ppm	Sn-Bi
Q13MC3061000200	MC-306	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	8 x 3.8 x 2.54 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Bi
Q13MC3061000300	MC-306	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	8 x 3.8 x 2.54 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Bi
Q13MC3061000400	MC-306	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	8 x 3.8 x 2.54 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Bi
Q13MC3061000500	MC-306	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	8 x 3.8 x 2.54 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Bi
Q13MC3061000700	MC-306	32.768000 kHz	-40 to +85 °C	≤ 50 KΩ	≤ 1 µW	+25ºC +/-5ºC	8 x 3.8 x 2.54 mm	-0.04 x 10^-6/°C²	+/-3 ppm	Sn-Bi

MC-306

耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英無(wú)源晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。愛(ài)普生晶振,貼片晶振,MC-306晶振,Q13MC3061000200晶振

存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存貼片進(jìn)口晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。正常溫度和濕度：溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。

8038晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于減少溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器, 壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、8.0*3.8mm封裝晶振、,貼片晶振材料的廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)石英晶振,貼片晶振環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.愛(ài)普生晶振,貼片晶振,MC-306晶振,Q13MC3061000200晶振

愛(ài)普生晶振集團(tuán)所生產(chǎn)的壓電石英晶體、陶瓷面8038晶振,有源晶體,溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）完全符合ISO14001環(huán)境管理體系標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個(gè)適合、三個(gè)承諾和一個(gè)框架：建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動(dòng)、產(chǎn)品以及服務(wù)過(guò)程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響；持續(xù)改進(jìn)——持續(xù)改進(jìn)環(huán)境績(jī)效和環(huán)境管理體系的承諾；

愛(ài)普生晶振集團(tuán)環(huán)?；纠砟睿鹤鳛榱己玫钠髽I(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國(guó)內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.有效利用貼片32.768K系列表晶資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.

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進(jìn)口貼片封裝晶振 MC-306晶振 Q13MC3061000200晶振

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