愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SCD晶振,X1G0029210002晶振
頻率:50-80MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SCD晶振,X1G0029210002晶振,石英晶體元件.工廠倉(cāng)庫(kù)長(zhǎng)時(shí)間大量庫(kù)存常用頻點(diǎn),.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負(fù)載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無(wú)鉛.
貼片晶振的真空封裝技術(shù):是指石英差分晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
50-80MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.8-3.3 V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
|||
|
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
30 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
Product Number | Model | Frequency | LxWxH | Output Wave | Ope Temperature | Freq. Tol. | I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry |
X1G0029210002 | SG-210SCD | 75.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
X1G0029210008 | SG-210SCD | 75.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
X1G0029210017 | SG-210SCD | 74.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
X1G0029210019 | SG-210SCD | 66.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
X1G0029210022 | SG-210SCD | 62.500000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
X1G0029210029 | SG-210SCD | 61.895900 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
X1G0029210036 | SG-210SCD | 66.666600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
X1G0029210038 | SG-210SCD | 66.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
愛普生有源晶體振蕩器產(chǎn)品列表:
電處理:
將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會(huì)工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振,或者起不到最佳精度。
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如:失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略。
愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SCD晶振,X1G0029210002晶振
2010年3月愛普生晶振制作完成了對(duì)日本國(guó)內(nèi)全部事業(yè)所和海外全部生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)的環(huán)保管理系統(tǒng)整合。2.5*2.0mm金屬面石英晶振通過所構(gòu)建的國(guó)際化環(huán)保管理系統(tǒng),進(jìn)一步強(qiáng)化了集團(tuán)的管制,能夠推進(jìn)更加有效且具有更高實(shí)效性的環(huán)?;顒?dòng)。而且,以往我們都以各事業(yè)所為單位進(jìn)行PDCA循環(huán),從2012年起,我們把多家事業(yè)所作為一個(gè)管理單位,不斷推動(dòng)著PDCA循環(huán)的衛(wèi)星化。
根據(jù)員工的職位和業(yè)務(wù)內(nèi)容實(shí)施環(huán)保教育,為了提高員工的環(huán)保意識(shí),愛普生晶振制作對(duì)全體員工實(shí)施環(huán)保教育。并且在2012年對(duì)內(nèi)部監(jiān)查員培訓(xùn)講座的教學(xué)綱要進(jìn)行了修改調(diào)整,引進(jìn)了模擬監(jiān)查等,壓電石英晶振使教育內(nèi)容更加接近于實(shí)際的監(jiān)查。此外,針對(duì)操作排水排氣等對(duì)環(huán)保有影響的設(shè)備的員工,開展個(gè)別教學(xué),使其掌握正確的檢查方法、提高運(yùn)轉(zhuǎn)效率,力爭(zhēng)最大限度地減少環(huán)保影響。
愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SCD晶振,X1G0029210002晶振
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有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,日產(chǎn)晶振產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊盤(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
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晶振廠家
臺(tái)產(chǎn)晶振
日產(chǎn)晶振
歐美晶振
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