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愛(ài)普生晶振,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振

頻率:100~175MHZ

尺寸:7.0*5.0mm

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
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1

愛(ài)普生品牌系列千赫子的貼片晶振,目前占據(jù)了中國(guó)市場(chǎng)進(jìn)口晶25%的份額,品牌質(zhì)量,貨期,品種,品質(zhì)是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機(jī)模塊啟用開始,在到國(guó)內(nèi)外各大知名品牌手機(jī),最后應(yīng)用到國(guó)內(nèi)山寨手機(jī)市場(chǎng),幾乎占據(jù)80%的手機(jī)行業(yè)晶振類別,產(chǎn)品本身特點(diǎn)是體積小,耐高溫,穩(wěn)定性能高,排帶包裝,應(yīng)用自動(dòng)貼片方便.愛(ài)普生晶振小體積SMD時(shí)鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn).

愛(ài)普生晶振,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振,小型貼片有源晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),貼片高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì):石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體振蕩器元器件來(lái)講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波。第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單,第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求。

2

型號(hào)

符號(hào)

參數(shù)

輸出規(guī)格

-

LV-PECL

輸出頻率范圍

fo

100~175MHZ

電源電壓

VCC

0.125~3.3V

頻率公差
(含常溫偏差)

f_tol

±50×10-6 max.

保存溫度范圍

T_stg

-40-+85

運(yùn)行溫度范圍

T_use

-10-+70 ,-40-+85

消耗電流

ICC

20mA max.

待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L"

I_std

10μA max.

輸出負(fù)載

Load-R

100Ω (Output-OutputN)

波形對(duì)稱

SYM

45-55% [at outputs cross point]

0電平電壓

VOL

-

1電平電壓

VOH

-

上升時(shí)間 下降時(shí)間

tr, tf

0.4ns max. [20-80% Output-OutputN]

差分輸出電壓

VOD1, VOD2

0.247-0.454V

差分輸出誤差

VOD

50mV [VOD=VOD1VOD2]

補(bǔ)償電壓

VOS

1.125-1.375V

補(bǔ)償電壓誤差

VOS

50mV

交叉點(diǎn)電壓

Vcr

-

OE端子0電平輸入電壓

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1電平輸入電壓

VIH

VCC×0.7 min.

輸出禁用時(shí)間

tPLZ

200ns

輸出使能時(shí)間

tPZL

2ms

周期抖動(dòng)(1

tRMS

5ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 22ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (Peak to peak)

總抖動(dòng)(1

tTL

50ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 35ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12(2)]

相位抖動(dòng)

tpj

1.5ps max. (13.5MHzfo<27MHz) / 1ps max. (27MHzfo<212.5MHz) 
[13.5MHzfo<40MHz,fo offset:12kHz-5MHz fo40MHz,fo offset:12kHz-20MHz]

愛(ài)普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器型號(hào)列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
SG7050CCN 8.192000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
SG7050CCN 9.830400 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
SG7050CCN 7.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
SG7050CCN 6.144000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
SG7050EBN 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 75.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
SG7050EBN 125.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 75.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
SG7050EBN 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 75.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
SG7050EBN 106.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 75.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
愛(ài)普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器編碼列表:

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
X1G0045010060 SG7050CCN 8.192000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
X1G0045010061 SG7050CCN 9.830400 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
X1G0045010079 SG7050CCN 7.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
X1G0045010083 SG7050CCN 6.144000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.50 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
X1G0045110001 SG7050EBN 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 75.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1G0045110002 SG7050EBN 125.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 75.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1G0045110003 SG7050EBN 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 75.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1G0045110004 SG7050EBN 106.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 75.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
3

SG7050EBN 7050

4

晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?/span>OSC石英晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。愛(ài)普生晶振,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1:抗沖擊:抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是7050晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 

4:粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英進(jìn)口晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。) 5:鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。

5

愛(ài)普生晶振環(huán)境管理體系:在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)六腳SMD晶振的目標(biāo)和指標(biāo). 環(huán)境行為評(píng)價(jià):評(píng)價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績(jī).我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).愛(ài)普生晶振,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振

愛(ài)普生晶振集團(tuán)所生產(chǎn)的壓電石英晶體、,有源晶體,溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO),有源貼片晶振,恒溫晶體振蕩器(OCXO)完全符合ISO14001環(huán)境管理體系標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個(gè)適合、三個(gè)承諾和一個(gè)框架:建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動(dòng)、產(chǎn)品以及服務(wù)過(guò)程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響;持續(xù)改進(jìn)——持續(xù)改進(jìn)環(huán)境績(jī)效和環(huán)境管理體系的承諾;

減少污染,節(jié)能降耗——污染預(yù)防的承諾;依法治理——遵守現(xiàn)行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾;“減少污染,節(jié)能降耗,建造美麗家園;依法治理,持續(xù)改進(jìn),凈化一片藍(lán)天”提供了建立和評(píng)審環(huán)境目標(biāo)和指標(biāo)的框架.愛(ài)普生晶振環(huán)境影響的最小化:遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過(guò)金屬面壓電晶振有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來(lái)實(shí)現(xiàn)這一承諾. 

6

MA - 406晶振,陶瓷面無(wú)源晶振,貼片型四腳諧振器
深圳市兆現(xiàn)電子有限公司
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貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
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貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品石英晶振被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
愛(ài)普生晶振,聲表面波振蕩器,XG-2102CA晶振,X1M0003010002晶振
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貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
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