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愛普生晶振,SPXO晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振

頻率：1.2-75MHZ

尺寸：2.0*1.6mm

2016mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

訂購熱線：0755-27876236

愛普生晶振,SPXO晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求

有源晶振頻率越高一般價格越高。但頻率越高，頻差越大，從綜合角度考慮，一般工程師會選用頻率低但穩(wěn)定的晶振，自己做倍頻電路?？傊⒕д袷歉鶕?jù)需要去選擇合適的頻率，并不是晶振頻率越大就越好。要看具體需求。比如基站中一般用10MHz的恒溫晶振（OCXO），因其有很好的頻率穩(wěn)定性，屬于高端晶振。

項目	符號	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1.2-75MHZ	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.6-3.63V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料http://ellentracy.cn
		H: -40℃ to +105℃

頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±25× 10^-6
		L: ±50× 10^-6
		T: ±100× 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

愛普生有源晶體振蕩器編碼列表:

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0048010002	SG2016CAN	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010012	SG2016CAN	25.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010014	SG2016CAN	16.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010016	SG2016CAN	74.250000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010018	SG2016CAN	20.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010019	SG2016CAN	72.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010020	SG2016CAN	48.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.6 mA	+/-3ppm		45 to 55 %

SG2016CAN 2016 CMOS

愛普生有源晶體振蕩器產(chǎn)品列表:

SG3225 2016

如果由頻率計數(shù)器測量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加石英晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計不是調(diào)諧到最佳共振點為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后，諧振點的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過以下三種方法改進：

方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過石英晶體具有較低負載電容（CL）。

方法2：采用小電阻（RR）的晶體。

方法3：使用鎘和CG的不等價的設(shè)計。

我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本，保證安全。請用頻率計數(shù)器來測量所述晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進行了改進。如果頻率不符合規(guī)格，請采用有源晶振合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會偏差很大。

愛普生晶振,SPXO晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振

愛普生晶振集團將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟性環(huán)境目標(biāo)，并確保其環(huán)境保護活動的質(zhì)量。愛普生晶振集團公司SPXO晶體振蕩器將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況。另外為更有效的進行環(huán)境保護，將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)。

精工愛普生晶振集團將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運作中實施持續(xù)改進，包括能源資源的保持，回收再利用以及減少廢棄物等。根據(jù)需要，2016貼片晶振提高環(huán)境技術(shù)、材料和產(chǎn)品的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動的公開性。

EPSON晶振愛普生晶振盡可能的采用無害的原材料和生產(chǎn)技術(shù)，避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生，比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物。集團公司同時將致力于這些物質(zhì)的收集和回收，最小化有害原料的使用。