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愛普生晶振,SPXO晶振,SG-8101CB晶振,X1G0055810011晶振

頻率：0.67-170MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,四腳石英晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27876236

愛普生晶振,SPXO晶振,SG-8101CB晶振,X1G0055810011晶振,小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領(lǐng)域.可對應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。

項目	符號	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	0.67-170MHZ	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	2.2-2.8 V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲存溫度	T_stg	-40℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料http://ellentracy.cn
		H: -40℃ to +105℃

頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±15× 10^-6
		L: ±20× 10^-6
		T: ±50 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

愛普生有源晶體振蕩器編碼列表:

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0055810011	SG-8018CB	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0055810012	SG-8018CB	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0055810013	SG-8018CB	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0055810014	SG-8018CB	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0055810015	SG-8018CB	50.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0055810016	SG-8018CB	50.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0055810017	SG-8018CB	48.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0055810018	SG-8018CB	48.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %

SG-8101CA CB CE CG CMOS

愛普生有源晶體振蕩器產(chǎn)品列表:

SG-8101 8503 04 06

1.操作

請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。

2.使用環(huán)境（溫度和濕度）

請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。

晶振/石英晶體諧振器

激勵功率

在晶振上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?。

負(fù)極電阻

除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加。

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容。

愛普生晶振,SPXO晶振,SG-8101CB晶振,X1G0055810011晶振

愛普生晶振制作所基于高尚的企業(yè)道德，遵循其經(jīng)營理念，以繼續(xù)成為受社會信賴的公司為目標(biāo)，承諾遵守法律和法規(guī)，5032小體積晶振實施高度透明的管理、尊重人權(quán)、維護健康與安全、為社會發(fā)展和環(huán)境保護做出貢獻(xiàn)。

此外，為大力推進(jìn)二氧化碳減排活動，設(shè)立了“防止全球變暖委員會”，加快設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)過程中CO2減排活動的步伐。

根據(jù)環(huán)境管理體系中的規(guī)定，高品質(zhì)石英晶體振蕩器愛普生晶振制作在其日本國內(nèi)的所有事業(yè)所和海外的所有生產(chǎn)基地中，建立了綠色經(jīng)營活動的框架，通過共享與綠色經(jīng)營有關(guān)的信息，致力于開展有效的和實際效果大的環(huán)?；顒?，并強化企業(yè)的管治能力。