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KDS大真空晶振,DSX630G大體積陶瓷晶振,1CG12288EE1C二腳貼片晶振

頻率：8.000MHZ-80.000MHZ

尺寸：6.0mm*3.5mm

普通貼片陶瓷晶振外觀KDS大真空晶體使用陶瓷材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的陶瓷晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機上對應自動貼裝等優(yōu)勢.超小型、超低頻陶瓷晶振晶片的邊緣處理技術：是超小型、超低頻陶瓷晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術問題，為行業(yè)的技術難題之一。

KDS大真空晶振,DSX630G大體積陶瓷晶振,1CG12288EE1C二腳貼片晶振

訂購熱線：0755-27876236

具體解決的辦法是使用高速倒邊方式，通過結合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理

KDS大真空晶振,DSX630G大體積陶瓷晶振,1CG12288EE1C二腳貼片晶振

KDS晶振規(guī)格	單位	晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
DSX630G標準頻率	f_nom	8.000MHZ-80.000MHZ	標準頻率1CG12288EE1C
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標準), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://ellentracy.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

KDS貼片晶振產(chǎn)品列表：

請參照資料2.也可以提高終端陶瓷晶振電容解決方案，然后檢查波形幅度是否得到改善。

請確定使用頻譜分析儀機中斷信號的頻率。我們可以發(fā)現(xiàn)存在的問題是根據(jù)頻率什么。

如果是從電源的交流信號，請檢查電源和信號的兩個理由的狀態(tài)是否是浮動的。請改為浮動，如果它不是。

如果信號具有高頻率，請使用以下方法：使用貼片晶振外殼為接地。采用水晶較小C0。

增加電路，鎘和CG的外部電容，并采用晶體具有較高的負載電容CL。

SMD陶瓷晶體晶振頻率輸出是目標頻率的三倍

這個問題的可能性相對較小。請確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式，由于放大電路的反饋大。當放大電路內(nèi)置于芯片組此問題可能會發(fā)生。為了解決這個問題，請采用三次泛音模式晶振。

此外，放大電路，第三色調(diào)模式設計不當也可能導致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。

系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。

請檢查周圍電路和PCB布局，如果上面的方法都沒有能夠解決您的問題。如果兩者都正常，那么請你聯(lián)系IC制造商探討其芯片組設計的不明信號的反應。改變周圍電路的設計只能緩解問題，而不是完全解決它。通常。這將是最好找出來的芯片組設計問題并解決它。

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對我們的產(chǎn)品進行檢驗，同時告知我們的員工顧客以及公眾，如何安全的使用，如何使用對環(huán)境影響較小，幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境。

公司的各項能源、資源消耗指標和排放指標達到國內(nèi)領先、國際先進水平。

KDS晶振集團實施創(chuàng)新戰(zhàn)略，提高自主創(chuàng)新能力，汽車級晶振確保公司可持續(xù)發(fā)展。實施節(jié)約戰(zhàn)略，提高建設節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力，確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標。

KDS晶體晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應用國際標準以及適用的法律法規(guī)。為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系。

消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件，減少廢物的產(chǎn)生和排放，有效的使用能源和各種自然資源，SMD晶振對緊急事件做好充分準備，以便及時做出反應。