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日本大真空晶振,1ZCT24000BD0A 二腳晶振,DSX320GE陶瓷高溫晶振

頻率：7.9-64MHZ

尺寸：3.20mm x 2.50mm

石英晶振的研磨技術(shù)：通過(guò)對(duì)切割整形后的晶片進(jìn)行研磨，使石英晶振的晶片達(dá)到（厚度/頻率）的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為：深圳進(jìn)口晶振代理商在壓電晶體行業(yè)，生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示技術(shù)水平的一個(gè)方面，通過(guò)理論與實(shí)際相結(jié)合，累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn)，通過(guò)深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重貼片晶振研磨過(guò)程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇；注重所使用水晶、研磨砂的選擇等

日本大真空晶振,1ZCT24000BD0A 二腳晶振,DSX320GE陶瓷高溫晶振

訂購(gòu)熱線：0755-27876236

貼片晶振本身體積小,超薄型陶瓷晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

日本大真空晶振,1ZCT24000BD0A 二腳晶振,DSX320GE陶瓷高溫晶振

KDS晶振規(guī)格	單位	晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	7.9-64MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://ellentracy.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

KDS貼片晶振產(chǎn)品列表：

如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒(méi)有經(jīng)過(guò)我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該貼片晶振應(yīng)正常后，諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒(méi)有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過(guò)以下三種方法改進(jìn)：

我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來(lái)節(jié)省成本，保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來(lái)測(cè)量所述無(wú)源晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足KDS晶振原說(shuō)明書(shū)后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會(huì)偏差很大.

方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過(guò)晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。

方法2：采用小電阻（RR）的晶體。

方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。

日本大真空晶振,1ZCT24000BD0A 二腳晶振,DSX320GE陶瓷高溫晶振

過(guò)去KDS晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn)。

遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。

KDS晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和SMD陶瓷晶體資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,陶瓷封裝貼片晶振為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。

根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo)，超小型SMD封裝晶振同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng)，并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn)。在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人，通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí)。確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開(kāi)。