KDS晶振,貼片晶振,DSX530GA晶振,1C710000CE1A晶振
頻率:7-70MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
KDS晶振,貼片晶振,DSX530GA晶振,1C710000CE1A晶振,普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機上對應自動貼裝等優(yōu)勢.
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題,為兩腳5032石英晶體行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理
KDS晶振規(guī)格 |
單位 |
晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
7-70MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
KDS貼片晶振產(chǎn)品列表:
石英晶振頻率輸出是目標頻率的三倍
這個問題的可能性相對較小。請確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式,由于放大電路的反饋大。當放大電路內(nèi)置于芯片組此問題可能會發(fā)生。為了解決這個問題,請采用三次泛音模式晶振。
5-2。此外,放大電路,第三色調(diào)模式設計不當也可能導致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。
系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。
6-1。請參照資料2.也可以提高終端石英晶振電容解決方案,然后檢查波形幅度是否得到改善。
7-1。請確定使用頻譜分析儀機中斷信號的頻率。我們可以發(fā)現(xiàn)存在的問題是根據(jù)頻率什么。
7-2。如果是從電源的交流信號,請檢查電源和信號的兩個理由的狀態(tài)是否是浮動的。請改為浮動,如果它不是。
7-3。如果信號具有高頻率,請使用以下方法:使用貼片晶振外殼為接地。采用水晶較小C0。
增加電路,鎘和CG的外部電容,并采用晶體具有較高的負載電容CL。
7-4。請檢查周圍電路和PCB布局,如果上面的方法都沒有能夠解決您的問題。如果兩者都正常,那么請你聯(lián)系IC制造商探討其芯片組設計的不明信號的反應。改變周圍電路的設計只能緩解問題,而不是完全解決它。通常。這將是最好找出來的芯片組設計問題并解決它。
KDS晶振,貼片晶振,DSX530GA晶振,1C710000CE1A晶振
KDS晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應用國際標準以及適用的法律法規(guī)。為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系。
消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,5032小型貼片晶振減少廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準備,以便及時做出反應。
對我們的產(chǎn)品進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境。
公司的各項能源、5032兩腳貼片晶振資源消耗指標和排放指標達到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進水平。
KDS晶振集團實施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展。實施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標。
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