三星2023量產(chǎn)三代4nm芯片不生產(chǎn)3納米晶振CSTNE12M0G550000R0 3213 12,M 33PF

實(shí)際上三星電子先進(jìn)制程良率非常低,自5納米工藝開(kāi)始一直存在良率問(wèn)題,在4納米和3納米工藝上情況變得更加糟糕.2022年2月,三星因4nm工藝良率低的問(wèn)題,導(dǎo)致高通不得不將驍龍8Gen1Plus交給臺(tái)積電來(lái)代工,同時(shí)可能將下一代處理器也交給臺(tái)積電3nm工藝代工.

實(shí)際上,根據(jù)ctee的報(bào)告,與之前的4/5nm工藝一樣,三星在3nmGAA工藝的生產(chǎn)中也遇到了挫折,良率只有20%.為了克服生產(chǎn)過(guò)程中遇到的諸多障礙,三星還選擇與美國(guó)公司合作,協(xié)助其提高3nmGAA工藝的良率.盡管此后三星宣稱已經(jīng)通過(guò)整合其合作伙伴使用的技術(shù)獲得了積極成果,但實(shí)際良率還不得而知,也沒(méi)有明顯市場(chǎng)表現(xiàn).三星搶跑“量產(chǎn)”3nm芯片

日本村田晶振,石英晶體諧振器CSTNE,貼片晶振編碼CSTNE12M0G550000R0

為此三星似乎將目光重點(diǎn)轉(zhuǎn)向提升芯片良率上.3月12日,三星電子公布了《三星電子事業(yè)報(bào)告書》.報(bào)告書顯示,三星將于今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)基于4nm工藝的2.3代芯片.這是三星電子首次提及4納米后續(xù)版本的具體量產(chǎn)時(shí)間.或許,這也意味著三星正從冒進(jìn)的先進(jìn)芯片工藝策略務(wù)實(shí)轉(zhuǎn)向提升良率.當(dāng)前在尖端芯片工藝上,三星與臺(tái)積電可算得上“第一陣營(yíng)”.然而就先進(jìn)芯片工藝良率上,三星與臺(tái)積電還是存在一些差距.以3納米芯片為例,盡管三星采用了GAA工藝,但良率仍然不敵臺(tái)積電.日本村田晶振,石英晶體諧振器CSTNE,貼片晶振編碼CSTNE12M0G550000R0

2022年6月,三星“壓哨”實(shí)現(xiàn)了自己對(duì)3nm量產(chǎn)時(shí)間的承諾,即量產(chǎn)基于GAA晶體管（Gate-All-AroundFET,全環(huán)繞柵極）結(jié)構(gòu)的3nm芯片.盡管三星宣稱與最初使用FinFET的5nm工藝相比,第一代3nmGAA工藝節(jié)點(diǎn)在功耗、性能和面積(PPA)方面都有不同程度的改善,但其良率非常低.3納米不盡人意!三星2023上半年轉(zhuǎn)向量產(chǎn)第三代4nm芯片三星2023年的新旗艦機(jī)S23,主要將搭載高通的處理器,Exynos芯片改用于中端機(jī)種.這對(duì)三星自身芯片代工而言,也是自打自臉.此前有消息人士透露,三星認(rèn)為4納米是3納米和5納米之間的過(guò)渡制程,投入的資源極少.不過(guò)三星似乎也在改變此前的做法.

日本村田晶振,石英晶體諧振器CSTNE,貼片晶振編碼CSTNE12M0G550000R0

1/5