NDK晶振自何時(shí)開始執(zhí)著于5G應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)更新?都有哪些產(chǎn)品?

相信有很多小伙伴都發(fā)現(xiàn)了一件事,NDK晶振似乎非常執(zhí)著于5G應(yīng)用類產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)的開發(fā)以及對(duì)一些產(chǎn)品的性能進(jìn)行更新使其向5G應(yīng)用設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)靠近;可能是NDK看到了5G通信市場的風(fēng)口吧,畢竟時(shí)至今日5G也開始了如火如荼的建設(shè),那么NDK在這期間都發(fā)布了哪些新品或是更新了什么產(chǎn)品呢?

在2019年4月的時(shí)候,NDK發(fā)布了一款具有業(yè)界最優(yōu)的低相位噪聲特性的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器,為了通過5G和其他高速移動(dòng)通信Wi-Fi6(IEEE802.11ax)和SONET/SDH(同步光網(wǎng)絡(luò)/同步數(shù)字體系)等多級(jí)調(diào)制和更大容量來提高通信質(zhì)量,它是預(yù)計(jì)未來對(duì)具有低相位噪聲特性的TCXO的需求將會(huì)增加.對(duì)此NDK優(yōu)化了使用我們高科技生產(chǎn)的具有高Q(*4)值的合成石英的石英諧振器的設(shè)計(jì),并通過降低噪聲生產(chǎn)這一產(chǎn)品.

同年5月,用于5G基站的可對(duì)應(yīng)+95℃高溫的小型OCXO(9×7mm)的開發(fā)設(shè)計(jì)方案出爐,這是為應(yīng)對(duì)5G基站高密度安裝而導(dǎo)致的溫度上升的問題,NDK開發(fā)了專用的ASIC*2,結(jié)合了NDK多年來培養(yǎng)的OCXO貼片晶振的高穩(wěn)定性,低噪聲和環(huán)保技術(shù),以達(dá)到±0.5ppb/℃的溫度,支持+95℃高溫運(yùn)行的斜率特性,并大大減少了頻率上的微小跳變.

到今年年初的時(shí)候,對(duì)NT5032BA溫補(bǔ)晶振做了性能更新,這款晶振產(chǎn)品的主要應(yīng)用范圍就是5G通信,基站等設(shè)備;8月,業(yè)界首款小型高頻率溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的開發(fā)正式提上日程,你甚至都不敢想象NDK在研發(fā)這款產(chǎn)品的時(shí)候已經(jīng)考慮到了6G的應(yīng)用,型號(hào)為NT1612AJA.

10月份的時(shí)候,宣布內(nèi)置熱敏電阻的晶體諧振器NX1612SD76.8MHz開始量產(chǎn),這顆產(chǎn)品是NDK為高通公司研發(fā)的芯片組(用于5G移動(dòng)平臺(tái)的Qualcomm®Snapdragon™690,750G)定制生產(chǎn)的.

10月29日,用于5G基站的可在高溫(+95°C)下工作的世界最小級(jí)7×5mm尺寸OCXO的開發(fā)報(bào)告正式公布,這款產(chǎn)品去去年5月發(fā)布的一款產(chǎn)品性能基本上都差不多,并且都是為5G基站而開發(fā)的,只是在一點(diǎn)上有所區(qū)別,那就是在尺寸上比去年那款更小了.

不難發(fā)現(xiàn),NDK針對(duì)5G應(yīng)用設(shè)備做的這一切都有一個(gè)共同點(diǎn),所推出或是更新的產(chǎn)品基本上都是溫補(bǔ)晶振,恒溫晶振之類的產(chǎn)品,最差的也就是熱敏晶振而已,這也就反映出了5G應(yīng)用設(shè)備對(duì)石英晶振的性能要求是非常之高的.而NDK晶振在這方面完全有應(yīng)對(duì)之能力.

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