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X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON馬斯克和賈躍亭電動汽車造車夢想

馬斯克訪華

1小時前新

外交部回應(yīng)馬斯克訪華與中國多部委官員見面

今天 12:34

工業(yè)和信息化部部長金壯龍會見特斯拉公司首席執(zhí)行官馬斯克

今天 10:45

馬斯克訪華后特斯拉股價收漲超4%，約合近1800億人民幣

今天 09:37

網(wǎng)傳馬斯克與與全球動力電池龍頭寧德時代董事長曾毓群會面

今天 09:30

馬斯克到北京第一天吃了啥：16道菜沒烤鴨、菜單含“馬”量極高

昨天 18:19

馬斯克訪華行程曝光首站北京蟹島

昨天 18:18愛普生晶振

馬斯克：特斯拉公司反對“脫鉤斷鏈”，愿繼續(xù)拓展在華業(yè)務(wù)

昨天 18:15

秦剛會見特斯拉首席執(zhí)行官馬斯克

昨天 15:31

外媒：馬斯克私人飛機降落北京

昨天 15:28

外交部回應(yīng)：歡迎，樂見外資企業(yè)在華投資興業(yè)

5月29日 21:43

外媒：消息人士稱，預(yù)計馬斯克本周訪問中國

賈躍亭FF 91交付

今天 13:56新

理想汽車李想發(fā)文稱贊FF91，賈躍亭發(fā)文感謝

賈躍亭：感謝李想的支持。作為智能電車時代的拓荒者，很榮幸FF點燃了很多人的夢想。智能電車產(chǎn)業(yè)進入了新的階段，傳統(tǒng)塔尖頂奢市場的上古玩家們都太老了，用戶在呼喚具有極智科技頂奢能力的顛覆者。塔尖變革之路維艱，FF一直在努力，也期待李總有時間來FF洛杉磯總部交流指導(dǎo)

今天 11:00

法拉第未來宣布新車售價為30.9萬美元

今天 08:13

賈躍亭發(fā)布試駕FF91視頻：終于快到了交付的時刻

4月15日 16:59

賈躍亭：九年不屈，FF 91已經(jīng)不是大家想象中的FF 91了

4月14日 14:01

FF91于4月15日正式下線，一階段交付時間延至5月底

4月14日 12:38日本進口晶振

賈躍亭FF91交付時間又“跳票”！用戶：還有未來嗎？

2月6日 14:29

FF達成1.35億融資籌集FF91Futurist量產(chǎn)資金

2022年12月16日

FF 91 Futurist開始量產(chǎn)，預(yù)計明年4月下線交付

2022年11月23日

FF第三季度減虧宣布完成生產(chǎn)制造第六個里程碑

2022年8月30日

FF稱量產(chǎn)所需設(shè)備已就位，計劃今年第四季度開始量產(chǎn)

2022年8月3日

FF公司：確保FF 91在2022年第三或第四季度實現(xiàn)交付

2022年2月17日

法拉第未來官宣：FF 91量產(chǎn)版2月23日正式發(fā)布

2021年7月22日

FF今日上市，賈躍亭這次能圓造車夢嗎？

特征

晶體振蕩器（可編程）

輸出頻率：0.67 MHz 至 170 MHz（1 ×^10-6步進）

輸出：CMOS

電源電壓：1.62 V 至 3.63 V

頻率公差、工作溫度：

±15 ×^10-6/ -40 °C 至 +85 °C

±20 ×^10-6， ±50 × 10-6 /^-40 °C 至 +105 °C

描述愛普生的SG-8101系列是具有CMOS輸出的可編程晶體振蕩器系列。

雖然該系列提供了與之前同類產(chǎn)品相同的頻率和其他參數(shù)的簡單可編程性

SG-8002/SG-8003系列，車載級晶振它們還具有更寬的工作溫度范圍，頂端極限為105°C。除了使電子制造商能夠節(jié)省電路板空間的 2.5 × 2.0 mm 封裝外，振蕩器還將提供以下常用封裝尺寸：3.2 × 2.5 mm、5.0 × 3.2 mm 和 7.0 × 5.0 mm。SG-8101系列振蕩器的頻率容差比同類產(chǎn)品高約66%，電流消耗降低約50%，可在各種環(huán)境條件下使用。這也將顯著提高性能、降低功耗要求、縮短開發(fā)周期和小批量生產(chǎn)。

項目

象征

規(guī)格

條件/備注

電源電壓

VCC

1.80 V 典型值

2.50 V 典型值

3.30 V 典型值

1.62 V 至 1.98 V

1.98 V 至 2.20 V

2.20 V 至 2.80 V

2.70 V 至 3.63 V

輸出頻率范圍

f_O

0.67MHZ至170MHZ

儲存溫度

T_stg

-40 °C 至 +125 °C

作為單個產(chǎn)品存儲。

工作溫度

T_use

-40 °C 至 +85 °C

-40 °C 至 +105 °C

頻率公差^*1

f_tol

乙： ±15 ×^10-6

T_use = -40 ºC 至 +85 °C

C： ±20 ×^10-6

T_use = -40 ºC 至 +105 °C

J： ±50 ×^10-6

T_use = -40 ºC 至 +105 °C

電流消耗

ICC

最大 3.2 mA

最大 3.3 mA

最大 3.4 mA

最大 3.5 mA

T_use = +105 °C

空載，f_O= 20 MHz

典型值 2.7 mA

2.9 mA 典型值

3.0 mA 典型值

T_use = +25 °C

最大 5.5 mA

最大 5.8 mA

最大 6.7 mA

最大 8.1 mA

T_use = +105 °C

空載，f_O= 170 MHz

4.7 mA 典型值

5.7 mA 典型值

6.8 mA 典型值

T_use = +25 °C

輸出禁用電流

I_dis

最大 3.2 mA

最大 3.3 mA

最大 3.5 mA

OE = GND， f_O= 170

MHZ

待機電流

I_std

最大 0.9 μA

最大 1.0 μA

最大 1.5 μA

最大 2.5 μA

T_use = +105 °C

ST ? ? = GND

0.3 μA 典型值

0.4 μA 典型值

0.5 μA 典型值

典型值 1.1 μA

T_use = +25 °C

對稱

西姆

45 % 至 55 %

50 %_{V CC}電平

輸出電壓

（直流特性）

VOH

90 %_{V CC}最小值

[毫安]

上升/下降時間

VCC

*一個

*乙

V， V

默認（f_O> 40 MHz），

-2.5

-3.5

-4.0

-5.0

一、

2.5

3.5

4.0

5.0

默認值（f_O≤ 40 MHz）

-1.5

-2.0

-2.5

-3.0

V_OL

最大 10 %_{V CC}

一、

1.5

2.0

2.5

3.0

*：1.62

*C： 2.20

-1.0

-1.5

-2.0

-2.5

I_OL1.01.5 2.0 2.5

V 至 1.98 V， *B： 1.98 V 至 2.20

V 至 2.80 V，*D：2.70 V 至 3.63

輸出負載條件

L_CMOS

最大 15 pF

輸入電壓

五_IH

最小 70 %_{V CC}

OE 或 ST ? ?

V_IL

最大 30 %_{V CC}

上升時間/下降時間

違約

TR/TF

最大 3.0 ns

f_O> 40MHZ

20 % - 80 % V_CC_，L_CMOS = 15 pF

最大 6.0 ns

f_O≤ 40MHZ

快

最大 3.0 ns

f_O= 0.67MHZ至170MHZ

慢

最大 10.0 ns

f_O= 0.67MHZ至20MHZ

輸出禁用時間（OE）輸出禁用時間（ST）

tstp_oe

tstp_st

最大 1 μs

從 OE 或 ST ? ? 引叉 30 % 的時間開始測量

VCC

輸出使能時間（OE）

tsta_oe

最大 1 μs

從 OE 引腳穿過 70 % V_CC的時間開始測量

輸出使能時間（ST）

tsta_st

最大 3 毫秒

從 ST ? ? 引叉 70 % V_CC的時間開始測量

啟動時間

t_str

最大 3 毫秒

從 V_CC達到其額定最小值 1.62 V 時開始測量

頻率老化

f_age

這包含在頻率容差規(guī)范中。

+25 °C，第一年

深圳市壹兆電子科技有限公司
晶振聯(lián)系人：龔成
石英晶振振蕩器電話：0755--27876236
QQ：769468702
進口晶振手機：13590198504
陶瓷晶振郵箱:[email protected]
日本臺灣歐美晶振品牌網(wǎng)站:http://ellentracy.cn

編碼	型號	頻率	尺寸	輸出方式	電源電壓	工作溫度	頻率偏差
X1G0051810270	SG-8101CG	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810271	SG-8101CG	29.491200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810272	SG-8101CG	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810273	SG-8101CG	12.500000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810274	SG-8101CG	28.672000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810275	SG-8101CG	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0051810276	SG-8101CG	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0051810278	SG-8101CG	26.600000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810279	SG-8101CG	48.896000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810280	SG-8101CG	24.545454 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810281	SG-8101CG	33.333333 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810282	SG-8101CG	14.318180 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810284	SG-8101CG	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810285	SG-8101CG	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810286	SG-8101CG	25.248000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810287	SG-8101CG	40.970875 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810300	SG-8101CG	2.048000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810301	SG-8101CG	6.500000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810302	SG-8101CG	30.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810303	SG-8101CG	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810304	SG-8101CG	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810305	SG-8101CG	75.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810306	SG-8101CG	24.576000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810308	SG-8101CG	4.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810309	SG-8101CG	29.999250 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810310	SG-8101CG	48.004800 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810311	SG-8101CG	6.144000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810313	SG-8101CG	16.600000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810314	SG-8101CG	37.210000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810320	SG-8101CG	16.480000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810322	SG-8101CG	36.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810323	SG-8101CG	14.318180 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810325	SG-8101CG	6.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810329	SG-8101CG	4.096000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810330	SG-8101CG	21.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810331	SG-8101CG	13.560000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810332	SG-8101CG	38.880972 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810336	SG-8101CG	32.256000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810344	SG-8101CG	37.125000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810345	SG-8101CG	12.800000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810347	SG-8101CG	20.480000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810348	SG-8101CG	40.960000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0058810005	SG2520EGN	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.84 mm	LV-PECL	3.135 to 3.465 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059010004	SG2520VGN	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.84 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059010007	SG2520VGN	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.84 mm	LVDS	1.710 to 1.890 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059010008	SG2520VGN	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.84 mm	LVDS	2.375 to 2.625 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059410003	SG2520VHN	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.84 mm	LVDS	1.710 to 1.890 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0059410005	SG2520VHN	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.84 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0059410009	SG2520VHN	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.84 mm	LVDS	2.375 to 2.625 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0059510004	SG2520CAA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510006	SG2520CAA	12.288000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510007	SG2520CAA	24.576000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510009	SG2520CAA	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510010	SG2520CAA	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510013	SG2520CAA	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510014	SG2520CAA	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510015	SG2520CAA	8.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510018	SG2520CAA	14.745600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510019	SG2520CAA	16.666600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510020	SG2520CAA	22.579200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510021	SG2520CAA	33.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510022	SG2520CAA	33.333300 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510023	SG2520CAA	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510024	SG2520CAA	48.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510025	SG2520CAA	50.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510027	SG2520CAA	54.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1B0003910001	SG-3031CM	32.768kHz	3.20 x 1.50 x 0.90 mm	CMOS	1.200 to 5.500 V	-40 to 105 °C	+5 +/-23 ppm
X1B000401A001	SG-3031CMA	32.768kHz	3.20 x 1.50 x 0.90 mm	CMOS	1.200 to 5.500 V	-40 to 105 °C	+5 +/-23 ppm
X1B0003510001	TG-3541CE	32.768kHz	3.20 x 2.50 x 1.00 mm	CMOS	1.500 to 5.500 V	-40 to 105 °C	+0 +/-1.9 ppm
X1B0003510002	TG-3541CE	32.768kHz	3.20 x 2.50 x 1.00 mm	CMOS	1.500 to 5.500 V	-40 to 105 °C	+0 +/-3.8 ppm
X1B000361A001	TG-3541CEA	32.768kHz	3.20 x 2.50 x 1.00 mm	CMOS	1.500 to 5.500 V	-40 to 105 °C	+0 +/-1.9 ppm
X1B000361A002	TG-3541CEA	32.768kHz	3.20 x 2.50 x 1.00 mm	CMOS	1.500 to 5.500 V	-40 to 105 °C	+0 +/-3.8 ppm

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