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愛普生SG-8018CB可編程晶振X1G005581011600具有極好的抗震性能

2022-09-06 16:25:02 壹兆電子

近年來,由于越來越需要更小的電子設(shè)備,使其在更廣泛的環(huán)境中具有更大的功率和功能。愛普生晶振針對(duì)市場(chǎng)開發(fā)了可編程晶體振蕩器系列產(chǎn)品新的SG-8018系列產(chǎn)品,共四種型號(hào)分別為SG-8018CA、SG-8018CB、SG-8018CE、SG-8018CG,頻率調(diào)節(jié)精度可達(dá)1ppm,相比同級(jí)別元件的功耗、頻率穩(wěn)定性都有明顯提升,SG-8018系列產(chǎn)品具有更寬的工作溫度范圍,除了一個(gè)2.5mm×2.0mm的封裝,使電子制造商能夠節(jié)省電路板空間,晶體振蕩器還可以在以下流行的封裝尺寸中獲得3.2mm×2.5mm,5.0mm×3.2mm和7.0mm×5.0mm,用戶將能夠利用SG-Writer II*1編程工具對(duì)SG8108系列和擴(kuò)頻振蕩器進(jìn)行編程

愛普生SG-8018CB可編程晶振X1G005581011600具有極好的抗震性能

產(chǎn)品編碼 頻率 貼片晶振 尺寸(長寬高) 輸出波 電源電壓 工作溫度
X1G005581001100 25.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581001200 25.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581001300 20.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581001400 20.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581001500 50.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581001600 50.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581001700 48.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581001800 48.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581001900 24.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581002000 24.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581002100 40.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581002200 40.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581002300 16.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581002400 16.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581002500 12.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581002600 12.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581002700 10.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581002800 10.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C

SG-8018CG,SG-8018CE,SG-8018CB,SG-8018CA

X1G005581011100 1.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581011200 75.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581011300 19.600000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581011400 156.250000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581011500 156.250000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581011600 24.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581011700 133.330000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581011800 9.830400 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581011900 33.333300 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581012000 25.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581012100 1.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581012200 133.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581012300 29.491200 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581012400 29.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581012500 6.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581012700 6.000000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581012800 7.175000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C
X1G005581012900 6.870000 MHz SG-8018CB 5.00x3.20x1.30mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C

愛普生SG-8018CB可編程晶振X1G005581011600具有極好的抗震性能

可編程晶振的特點(diǎn):
①全自動(dòng)化半導(dǎo)體工藝(芯片級(jí)),無氣密性問題,永不停振!
②集成了溫度補(bǔ)償電路,全溫度范圍無溫漂,-40℃-85℃全溫保證;
③平均無故障工作時(shí)間(MTBF)長達(dá)5億小時(shí)!
④低抖動(dòng)、低功耗、耐高溫、高壓、高濕、抗震性能好
⑤支持1-800MHZ任一頻點(diǎn),精確致小數(shù)點(diǎn)后5位輸出。(如:65.53500MHz)。
⑥支持1.8V、2.5V、2.8V、3.3V多種工作電壓匹配!
⑦支持±10PPM、±20PPM、±25PPM、±30PPM、±50PPM等各種精度匹配!
⑧國際標(biāo)準(zhǔn)QFN封裝:7050、5032、3225、2520 可編程晶振應(yīng)用于鐘表、數(shù)碼產(chǎn)品、車載數(shù)碼、手機(jī)、對(duì)講機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MID平板電腦,光電技術(shù)等通訊設(shè)備及各種頻率控制設(shè)備。
可編程晶振實(shí)為有源晶振,石英可編程(Q MEMS)具有高穩(wěn)定、高精度等優(yōu)越性能的石英材料[QUARTZ]和[MEMS]組合而成的造詞,以石英為原料進(jìn)行精微加工(光刻)并可以提供的小型化、高性能的晶體元器件被稱為[Q MEMS]。應(yīng)用于5G-WIFI6、物聯(lián)網(wǎng)通訊、鐘表、車載導(dǎo)航、智能手機(jī)、對(duì)講機(jī)、數(shù)碼產(chǎn)品,光電技術(shù)等通訊設(shè)備及各種頻率控制設(shè)備。




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