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為什么晶振會出現頻偏,用什么方法可以最大化縮小其影響

2020-07-16 17:39:29 

為什么晶振會出現頻偏,用什么方法可以最大化縮小其影響

晶振乃是頻率控制元器件,但是它的頻點會出現上下浮動,因為生產技術和固有屬性的原因,石英晶振產品的頻點固定在一個特定值上是不現實的,所以就有了頻率公差的出現,即使現在有的晶振產品,如溫補晶振的頻差已經做到了最高0.5ppm的樣子,但依舊無法實現完全固定,那么為什么會出現這種頻偏現象呢,我們應該如何縮小其影響呢?

如果石英晶振實際振蕩頻率從標稱頻率偏移,則將考慮以下原因:

1.晶體單元的實際驅動電平超過其指定的最大值.

2.實際負載電容與規(guī)范中的指定值不同

3.振蕩不正常

3-1、晶體單元的實際驅動電平超過其指定的最大值.

重要的是晶體單元的實際驅動電平在驅動電平規(guī)范內.過高的驅動電平可能導致更高的振蕩頻率或更大的R1.如果要將驅動器級別調低,可以采取以下措施.具體操作可參閱是什么原因導致的石英晶體振蕩頻率隨溫度漂移不正常?”

為什么晶振會出現頻偏,用什么方法可以最大化縮小其影響

3-2、實際負載電容與規(guī)范中的指定值不同

晶體單元的振蕩頻率按照其規(guī)范中規(guī)定的負載電容進行分類.因此,如果有源晶振晶體的實際負載電容與規(guī)范中規(guī)定的負載電容不同,則實際振蕩頻率可能與晶體單元的標稱頻率不同.您可以通過以下措施調整此頻率差異.

措施1調整外部負載電容

為了改變外部負載電容,實際振蕩頻率變低.如果外部負載電容很大,請注意振蕩裕度會很低.通過大的外部負載電容,振蕩幅度可能很小.

措施2改變指定不同負載電容的晶體單元

為了應用具有大負載電容的晶振晶體單元,實際振蕩頻率變高.例如:你需要30MHz的頻率,并使用規(guī)定頻率為30MHz的晶體單元作為負載電容,額定頻率為6pF.但是你確認實際振蕩從30MHz低至30ppm.

實際電路板上的負載電容似乎大于6pF.所以你用8pF作為負載電容改變指定30MHz的晶體單元.通過這種變化,實際振蕩頻率從30MHz低至5ppm,您可以調整頻率差.

3-3、振蕩不正常

振蕩電路可能不在晶體單元的標稱頻率附近工作.

它被稱為“不規(guī)則振蕩”,如果C-MOS逆變器不是非緩沖型,可能會發(fā)生這種情況.通過調節(jié)阻尼電阻和外部負載電容,可以減少不規(guī)則振蕩的可能性.為了從根本上解決這個問題,需要應用具有非緩沖型C-MOS逆變器的IC.

當發(fā)現不規(guī)則振蕩時,請聯(lián)系IC制造商確認C-MOS逆變器是否為非緩沖型.如果您考慮的IC不是非緩沖型,請考慮將IC更換為具有非緩沖型C-MOS逆變器的替代型IC.

為什么貼片晶振會出現頻偏,用什么方法可以最大化縮小其影響.

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