石英晶振頻率穩(wěn)定度：關(guān)鍵參數(shù)，我們的臺(tái)產(chǎn)晶振可以達(dá)到10-9級(jí)別。指在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)，與標(biāo)稱(chēng)頻率允許的偏差，用PPm（百萬(wàn)分之一）表示。一般來(lái)說(shuō)，晶振穩(wěn)定度越高或溫度范圍越寬，價(jià)格越高。對(duì)于頻率穩(wěn)定度要求±20ppm或以上的應(yīng)用，可使用普通無(wú)補(bǔ)償?shù)氖⒕w振蕩器。對(duì)于介于±1 至±20ppm 的穩(wěn)定度，應(yīng)該考慮溫補(bǔ)晶振TCXO 。對(duì)于低于±1ppm 的穩(wěn)定度，應(yīng)該考慮恒溫晶振OCXO。
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型號(hào) |
符號(hào) |
參數(shù) |
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輸出規(guī)格 |
- |
LVPECL |
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輸出頻率范圍 |
fo |
25-200MHz |
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電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
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頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
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保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
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運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃,-40-+85℃ |
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消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
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待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
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輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
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波形對(duì)稱(chēng) |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
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0電平電壓 |
VOL |
- |
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1電平電壓 |
VOH |
- |
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上升時(shí)間 下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
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差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
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差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
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補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
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補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
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交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
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OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
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OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
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輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
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輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
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周期抖動(dòng)（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
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tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
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總抖動(dòng)（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
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相位抖動(dòng) |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
一般來(lái)說(shuō)，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負(fù)載電容，其中已建成的芯片組。 （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。
一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫(xiě)為|-R|>5的Rr。
例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，貼片晶振IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說(shuō)明：
線(xiàn)路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。
（3）振蕩期間測(cè)量R的值。
（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。
附：所連接的電路的雜散電容，可能會(huì)影響測(cè)定值。
如果晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過(guò)低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話(huà)，我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況：
降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。
采用具有較低電阻（RR）的有源晶振。
使用光盤(pán)和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。
當(dāng)有信號(hào)輸出從XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間，以驅(qū)動(dòng)后端電路。
但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請(qǐng)聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助，如果你的問(wèn)題不能得到解決。系統(tǒng)無(wú)法運(yùn)行，因?yàn)榫w沒(méi)有足夠的輸出波形振幅。
TXC晶振,差分晶振,BB晶振
臺(tái)灣TXC晶振本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,低電壓晶振同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).2003年通過(guò)ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則。
臺(tái)灣TXC晶振公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測(cè)數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符，差分有源振蕩器于2004年通過(guò)SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證.
臺(tái)灣TXC晶振勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國(guó)及企業(yè)關(guān)注焦如何做到‘降低職業(yè)災(zāi)害發(fā)生、差分石英晶振確保工作場(chǎng)所安全、實(shí)施員工健康管理’一直是TXC晶體努力的方向,公司于2008年12月通過(guò)OHSAS18001職業(yè)安全衛(wèi)生管理系統(tǒng)驗(yàn)證,提供勞工符合系統(tǒng)要求的安全衛(wèi)生工作環(huán)境.
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