愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,（32.768KHZ）系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列壓電晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域.是對應(yīng)陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機、筆記本電腦、移動電話等.等用途.
愛普生晶振,有源晶振,SG7050CBN晶振,X1G0044910001晶振,小型貼片有源晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,貼片高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
石英晶振的切割設(shè)計：用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把7050晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。
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型號 |
符號 |
參數(shù) |
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輸出規(guī)格 |
- |
CMOS |
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輸出頻率范圍 |
fo |
80~170MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.6~3.6V |
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頻率公差 |
f_tol |
±25×10-6max., ±50×10-6max.±100×10-6max |
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保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
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運行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃,-40-+85℃ |
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消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
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待機時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
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輸出負載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
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波形對稱 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
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0電平電壓 |
VOL |
- |
|
1電平電壓 |
VOH |
- |
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上升時間 下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
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差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
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差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
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補償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
|
補償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
|
交叉點電壓 |
Vcr |
- |
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OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
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OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
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輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
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輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
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周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
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tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
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總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
|
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
愛普生有源進口MHZ振蕩器型號列表:
愛普生有源進口MHZ振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG7050CAN
14.745600 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG7050CAN
16.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG7050CAN
35.020000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG7050CAN
7.372800 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG7050CAN
48.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 2.6 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG7050CAN
3.300000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG7050CBN
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG7050CBN
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG7050CBN
106.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG7050CBN
133.330000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0044810237
SG7050CAN
14.745600 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0044810238
SG7050CAN
16.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0044810239
SG7050CAN
35.020000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0044810240
SG7050CAN
7.372800 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0044810242
SG7050CAN
48.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 2.6 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0044810243
SG7050CAN
3.300000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0044910001
SG7050CBN
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0044910002
SG7050CBN
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0044910003
SG7050CBN
106.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0044910004
SG7050CBN
133.330000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負載:建議將進口晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。愛普生晶振,有源晶振,SG7050CBN晶振,X1G0044910001晶振
同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的金屬面晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接日產(chǎn)晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
減少污染,節(jié)能降耗——污染預(yù)防的承諾；依法治理——遵守現(xiàn)行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾；“減少污染,節(jié)能降耗,建造美麗家園；依法治理,持續(xù)改進,凈化一片藍天”提供了建立和評審環(huán)境目標和指標的框架.愛普生晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會的期望,改進我們的環(huán)境行為,我們將通過四腳貼片晶振有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實現(xiàn)這一承諾.愛普生晶振,有源晶振,SG7050CBN晶振,X1G0044910001晶振
愛普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個運行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當?shù)娜肆Y源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進7050m有源晶振的目標和指標. 環(huán)境行為評價：評價我們運行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責完全結(jié)合的培訓(xùn).
愛普生晶振集團所生產(chǎn)的壓電石英晶體、7050mm振蕩器,有源晶體,溫補晶體振蕩器（TCXO）,,恒溫晶體振蕩器（OCXO）完全符合ISO14001環(huán)境管理體系標準的要求,體現(xiàn)了一個適合、三個承諾和一個框架：建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動、產(chǎn)品以及服務(wù)過程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響；持續(xù)改進——持續(xù)改進環(huán)境績效和環(huán)境管理體系的承諾；
聯(lián)系人：龔成
QQ：769468702
手機：13590198504
郵箱:[email protected]
網(wǎng)站:http://ellentracy.cn
CTS晶振,貼片晶振,407晶振
Cardinal晶振,貼片晶振,CX5晶振
Crystek晶振,貼片晶振,CSX1晶振
GEYER晶振,貼片晶振,KX-13晶振
愛普生晶振,有源晶振,SG7050CAN晶振,X1G0044810001晶振
