日本精工愛(ài)普生接受了中國(guó)蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司】 愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛(ài)普生株式會(huì)社與愛(ài)普生(中國(guó))有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).目前注冊(cè)資本2500萬(wàn)美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來(lái)西亞量產(chǎn).蘇州愛(ài)普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.
愛(ài)普生晶振,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對(duì)于晶振的條片,長(zhǎng)邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸。對(duì)于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。
型號(hào) |
符號(hào) |
參數(shù) |
輸出規(guī)格 |
- |
CMOS |
輸出頻率范圍 |
fo |
2.5~50MHZ |
電源電壓 |
VCC |
4.5~5.5V |
頻率公差 |
f_tol |
±25×10-6max., ±50×10-6max.±100×10-6max |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃,-40-+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA max. |
輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形對(duì)稱 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
- |
1電平電壓 |
VOH |
- |
上升時(shí)間 下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(dòng)(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(dòng)(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
相位抖動(dòng) |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
愛(ài)普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器型號(hào)列表:
愛(ài)普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG7050CBN
120.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-25 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG7050CBN
120.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG7050CBN
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG7050CBN
85.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG7050CCN
4.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG7050CCN
16.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG7050CCN
48.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG7050CCN
11.059200 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0044910026
SG7050CBN
120.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-25 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0044910027
SG7050CBN
120.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0044910028
SG7050CBN
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0044910029
SG7050CBN
85.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0045010001
SG7050CCN
4.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
X1G0045010003
SG7050CCN
16.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
X1G0045010004
SG7050CCN
48.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
X1G0045010005
SG7050CCN
11.059200 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1:抗沖擊:抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是7050晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。愛(ài)普生晶振,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振
4:粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。) 5:鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。6:靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>有源石英晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。
愛(ài)普生晶振集團(tuán)所生產(chǎn)的壓電石英晶體、,有源晶體,溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO),汽車電子晶振,恒溫晶體振蕩器(OCXO)完全符合ISO14001環(huán)境管理體系標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個(gè)適合、三個(gè)承諾和一個(gè)框架:建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動(dòng)、產(chǎn)品以及服務(wù)過(guò)程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響;持續(xù)改進(jìn)——持續(xù)改進(jìn)環(huán)境績(jī)效和環(huán)境管理體系的承諾;愛(ài)普生晶振,愛(ài)普生晶振,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振
減少污染,節(jié)能降耗——污染預(yù)防的承諾;依法治理——遵守現(xiàn)行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾;“減少污染,節(jié)能降耗,建造美麗家園;依法治理,持續(xù)改進(jìn),凈化一片藍(lán)天”提供了建立和評(píng)審環(huán)境目標(biāo)和指標(biāo)的框架.愛(ài)普生晶振環(huán)境影響的最小化:遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過(guò)7050貼片四腳有源晶振有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來(lái)實(shí)現(xiàn)這一承諾.
愛(ài)普生晶振環(huán)境管理體系:在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)壓電石英晶體振蕩器的目標(biāo)和指標(biāo). 環(huán)境行為評(píng)價(jià):評(píng)價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績(jī).我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).
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