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: 1612陶瓷晶振,XRCMD48M000FXQ58R0,muRata諧振器

1612陶瓷晶振,XRCMD48M000FXQ58R0,muRata諧振器 ，編碼：XRCMD48M000FXQ58R0，型號：XRCMD，工作溫度：-30°C ~ 85°C，尺寸：1.6mm*1.2mm，頻率：48MHz，精度：±20ppm，負(fù)載電容：7pF，村田晶振，進(jìn)口晶振，1612晶振，貼片石英晶體，陶瓷晶振，貼片晶振，晶體諧振器，實現(xiàn)了小封裝和高精度的晶體單元頻率，基于村田的優(yōu)秀封裝技術(shù)和高級石英晶體元件，實現(xiàn)小尺寸和高精度諧振器，特征該系列可用于以下必要的應(yīng)用高精度諧振器，諧振器尺寸極小，有助于以減少安裝面積，該系列符合RoHS指令，不含鉛。
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: 2016陶瓷貼片晶振,XRCPB24M000F0L00R0,日本村田晶振

2016陶瓷貼片晶振,XRCPB24M000F0L00R0,日本村田晶振 ，編碼：XRCPB24M000F0L00R0，型號：XRCPB，工作溫度：-30°C ~ 85°C，尺寸：2.0mm*1.6mm，頻率：24MHz，精度：±100ppm，負(fù)載電容：6pF，進(jìn)口晶振，muRata諧振器，2016晶振，石英晶諧振器，貼片晶振，無源貼片晶振，陶瓷貼片晶振，實現(xiàn)了小封裝和高精度的晶體單元頻率?；诖逄锏膬?yōu)秀封裝技術(shù)和高級石英晶體元件，實現(xiàn)小尺寸和高精密諧振器。特征1.該系列可用于以下應(yīng)用場合高精度諧振器，特別它是最好的，S-ATA、USB2.0等通信時鐘，諧振器的尺寸非常小，并有助于減少安裝面積，該系列符合RoHS指令，是無鉛的。
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[行業(yè)資訊]三星2023量產(chǎn)三代4nm芯片不生產(chǎn)3納米晶振CSTNE12M0G550000R0 3213 12M 33PF2023年03月18日 16:24

三星2023量產(chǎn)三代4nm芯片不生產(chǎn)3納米晶振CSTNE12M0G550000R0 3213 12M 33PF

實際上三星電子先進(jìn)制程良率非常低,自5納米工藝開始一直存在良率問題,在4納米和3納米工藝上情況變得更加糟糕.2022年2月,三星因4nm工藝良率低的問題,導(dǎo)致高通不得不將驍龍8Gen1Plus交給臺積電來代工,同時可能將下一代處理器也交給臺積電3nm工藝代工.

實際上根據(jù)ctee的報告,村田晶振muRata諧振器,陶瓷村田晶振與之前的4/5nm工藝一樣,三星在3nmGAA工藝的生產(chǎn)中也遇到了挫折,良率只有20%.為了克服生產(chǎn)過程中遇到的諸多障礙,三星還選擇與美國公司合作,協(xié)助其提高3nmGAA工藝的良率.盡管此后三星宣稱已經(jīng)通過整合其合作伙伴使用的技術(shù)獲得了積極成果,但實際良率還不得而知,也沒有明顯市場表現(xiàn).三星搶跑“量產(chǎn)”3nm芯片 日本村田晶振,石英晶體諧振器CSTNE,貼片晶振編碼CSTNE12M0G550000R0

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