SiTimeCrystal,貼片晶振,SiT1532晶振
頻率:32.768KHZ
尺寸:1.5*0.8mm
32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
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SiTimeCrystal,貼片晶振,SiT1532晶振,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
SiTime改變了時機(jī)市場。在過去的幾十年里,石英晶體振蕩器、時鐘發(fā)生器和諧振器是電子器件中主要的參考計時元件。由于沒有其他選擇,oem和ODMs接受了石英計時設(shè)備的固有限制?,F(xiàn)在,隨著強(qiáng)大的MEMS諧振器和高性能模擬電路的出現(xiàn),SiTime已經(jīng)開發(fā)出了克服石英器件局限性的突破性解決方案。
石英晶振的切割設(shè)計:用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等.
SiTime改變了時機(jī)市場。在過去的幾十年里,石英晶體振蕩器、時鐘發(fā)生器和諧振器是電子器件中主要的參考計時元件。由于沒有其他選擇,oem和ODMs接受了石英計時設(shè)備的固有限制?,F(xiàn)在,隨著強(qiáng)大的MEMS諧振器和高性能模擬電路的出現(xiàn),SiTime已經(jīng)開發(fā)出了克服石英器件局限性的突破性解決方案。
石英晶振的切割設(shè)計:用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等.
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通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致有源晶體無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.晶振的軟焊溫度條件被設(shè)計成可以和普通電子零部件同時作業(yè),但如果是超過規(guī)格以上的高溫,則頻率有可能發(fā)生較大的變化,因此請避免不必要的高溫度.有關(guān)SMD產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述,請參照“表面貼裝型晶體產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述”.
清洗晶體諧振器
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值.本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍以上.
晶體振蕩器
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮.有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接.關(guān)于個別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書.產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內(nèi)部傳播過大的振動,有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.產(chǎn)品在設(shè)計階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用.SiTimeCrystal,貼片晶振,SiT1532晶振
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致有源晶體無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.晶振的軟焊溫度條件被設(shè)計成可以和普通電子零部件同時作業(yè),但如果是超過規(guī)格以上的高溫,則頻率有可能發(fā)生較大的變化,因此請避免不必要的高溫度.有關(guān)SMD產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述,請參照“表面貼裝型晶體產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述”.
清洗晶體諧振器
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值.本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍以上.
晶體振蕩器
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮.有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接.關(guān)于個別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書.產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內(nèi)部傳播過大的振動,有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.產(chǎn)品在設(shè)計階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用.SiTimeCrystal,貼片晶振,SiT1532晶振
SiTime晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時做出反應(yīng).
對我們的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.公司的各項能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平.
SiTime晶振集團(tuán)實施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).致力于環(huán)境保護(hù),包括預(yù)防污染.在石英晶振晶體產(chǎn)品的規(guī)劃到制造、運行維修等整個過程中,努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù).SiTimeCrystal,貼片晶振,SiT1532晶振
對我們的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.公司的各項能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平.
SiTime晶振集團(tuán)實施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).致力于環(huán)境保護(hù),包括預(yù)防污染.在石英晶振晶體產(chǎn)品的規(guī)劃到制造、運行維修等整個過程中,努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù).SiTimeCrystal,貼片晶振,SiT1532晶振
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