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SG2016CAN愛普生晶振編碼X1G004801000200低相位抖動SPXO

愛普生現(xiàn)已推出SG2016系列高頻、低相位抖動SPXOs樣品-該系列比愛普生的SG2520系列SPXOs小54%,是800G收發(fā)器等高帶寬光模塊的理想選擇-日本東京2022年10月12日關(guān)于愛普生愛普生是全球技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,其高效、緊湊和精確創(chuàng)新的理念豐富了生活,愛普生晶振并有助于創(chuàng)造一個更美好的世界.該公司致力于通過家庭和辦公印刷、商業(yè)和工業(yè)印刷、制造、視覺和生活方式的創(chuàng)新來解決社會問題.到2050年,愛普生將成為負碳公司,不再使用石油和金屬等可耗盡的地下資源.由日本精工愛普生公司領(lǐng)導(dǎo)的全球愛普生集團年銷售額超過1萬億日元.

SG2016CAN愛普生晶振編碼X1G004801000200,EPSON低相位抖動SPXO晶振

SeikoEpsonCorporation(TSE:6724,Epson已經(jīng)開始發(fā)運具有差分輸出1的新系列簡單封裝晶體振蕩器(SPXO)的樣品.該系列包括SG2016EGN、SG2016EHN、SG2016VGN和SG2016VHN.所有器件在基本模式3下均具有低相位抖動2,并采用2.0x1.6毫米的小型封裝,高度為0.63毫米(典型值.).計劃于2023年(日歷年)第一季度開始量產(chǎn).

愛普生有源晶振編碼	型號	頻率	長X寬X高	輸出波	電源電壓	工作溫度	頻差
X1G004801000200	SG2016CAN	24.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to85°C	+/-50ppm
X1G004801000300	SG2016CAN	26.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to85°C	+/-50ppm
X1G004801000700	SG2016CAN	12.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to85°C	+/-50ppm
X1G004801001200	SG2016CAN	25.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to85°C	+/-50ppm
X1G004801001300	SG2016CAN	50.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to85°C	+/-50ppm
X1G004801001400	SG2016CAN	16.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to85°C	+/-50ppm
X1G004801001800	SG2016CAN	20.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to105°C	+/-50ppm
X1G004801002000	SG2016CAN	48.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to85°C	+/-50ppm
X1G004801002100	SG2016CAN	27.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to105°C	+/-50ppm
X1G004801002400	SG2016CAN	25.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-20to70°C	+/-25ppm
X1G004801002600	SG2016CAN	33.333300MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to85°C	+/-50ppm
X1G004801002700	SG2016CAN	10.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to105°C	+/-50ppm
X1G004801002800	SG2016CAN	50.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to105°C	+/-50ppm
X1G004801002900	SG2016CAN	10.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to85°C	+/-50ppm
X1G004801003000	SG2016CAN	4.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to85°C	+/-50ppm
X1G004801003100	SG2016CAN	24.576000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to105°C	+/-50ppm
X1G004801003500	SG2016CAN	25.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to105°C	+/-50ppm
X1G004801003600	SG2016CAN	40.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to105°C	+/-50ppm
X1G004801003900	SG2016CAN	26.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to105°C	+/-50ppm
X1G004801004000	SG2016CAN	24.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to105°C	+/-50ppm
X1G004801004400	SG2016CAN	12.288000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to85°C	+/-50ppm
X1G004801004500	SG2016CAN	8.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to85°C	+/-50ppm
X1G004801004600	SG2016CAN	8.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to105°C	+/-50ppm
X1G004801004900	SG2016CAN	4.000000MHz	2.00x1.60x0.70mm	CMOS	1.600to3.630V	-40to105°C	+/-50ppm

由于5G網(wǎng)絡(luò)的增長和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的實施,未來的數(shù)據(jù)流量將進一步增加.為了處理這種流量,光傳輸模塊被期望過渡到更高的速度和更大的容量,從400Gbps到800Gbps.下一代800G光傳輸模塊將需要更小,因為它們將內(nèi)置更大的數(shù)字信號處理器(DSP),這將需要更多的散熱空間.新振蕩器的體積比其前身Epson的SG2520EGN、SG2520EHN、SG2520VGN和SG2520VHN小54%.像他們的前輩一樣,他們使用了一個HFF晶體單元4和一個由日本進口晶振愛普生公司設(shè)計的緊湊型振蕩器IC.它們還提供相同的高頻、高穩(wěn)定性和低相位抖動.這些特性使它們成為下一代800G傳輸模塊的理想選擇.作為石英晶體設(shè)備的領(lǐng)導(dǎo)者,愛普生尋求利用其技術(shù)為實現(xiàn)智能社會做出貢獻,并將繼續(xù)提供滿足各種電子設(shè)備和社會基礎(chǔ)設(shè)施需求的晶體設(shè)備產(chǎn)品.

SG2016CAN愛普生晶振編碼X1G004801000200,EPSON低相位抖動SPXO晶振

產(chǎn)品應(yīng)用-光傳輸模塊(內(nèi)置于路由器和交換機等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中)-數(shù)據(jù)中心-工廠自動化設(shè)備和測量儀器-高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器相關(guān)鏈接

請查看下面的產(chǎn)品詳情鏈接.

1差分輸出:輸出極性相反的頻率信號的方法.差分輸出振蕩器實現(xiàn)高頻傳輸,抗噪聲能力強.

2抖動:時鐘周期的波動會導(dǎo)致顯示圖像波動和數(shù)據(jù)傳輸中的誤碼等問題.

3基模:晶體單位振動的自然頻率.

4高頻基波(HFF)晶體單元:一種可以以高頻基波振蕩而不損害晶體芯片強度的晶體單元,因為使用光刻工藝來創(chuàng)建倒臺面結(jié)構(gòu),其中只有晶體芯片的振動區(qū)域被減薄到幾微米的厚度.HFF晶體單元有助于高速、大容量通信的穩(wěn)定性,因為它們可以抑制附近的諧波分量.SG2016CAN愛普生晶振編碼X1G004801000200,EPSON低相位抖動SPXO晶振