5G和邊緣計(jì)算需要MEMS恒溫晶振OCXO
5G是物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的基礎(chǔ)設(shè)施，解決5G設(shè)備的關(guān)鍵在于IoT智能終端，5G時(shí)序?qū)ο到y(tǒng)OEM廠商來(lái)說(shuō)是一個(gè)復(fù)雜的挑戰(zhàn)。隨著移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商逐漸進(jìn)入5G和邊緣計(jì)算領(lǐng)域，他們需要在無(wú)線電設(shè)備上實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)格的時(shí)間同步，這就需要使用MEMS恒溫晶振(OCXO)。
在所有晶振廠家產(chǎn)品中，MEMS恒溫晶振在時(shí)序中提供頂級(jí)性能，是所有通信網(wǎng)絡(luò)可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。然而，基于石英的OCXO晶振對(duì)諸如振動(dòng)、溫度變化和沖擊等環(huán)境壓力因素極為敏感，這會(huì)降低網(wǎng)絡(luò)性能、減少正常運(yùn)行時(shí)間，并影響任務(wù)關(guān)鍵型服務(wù)，如自動(dòng)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)。
鑒于傳統(tǒng)石英OCXO晶振的敏感性，客戶(hù)必須采取大量預(yù)防措施以確?？煽窟\(yùn)行。一大難題是OCXO晶振的電路板布局。OCXO晶振在布局時(shí)需要遠(yuǎn)離壓力因素，例如熱量和氣流誘發(fā)的熱沖擊。這樣會(huì)導(dǎo)致布線復(fù)雜性增加和潛在的信號(hào)完整性問(wèn)題。此外，設(shè)計(jì)人員也嘗試使用專(zhuān)門(mén)的塑封型OCXO晶振蓋進(jìn)行熱隔離，但這會(huì)增加制造步驟和生產(chǎn)復(fù)雜性。MEMS OCXO晶振消除了所有這些問(wèn)題：它們簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間、加速營(yíng)收，同時(shí)提升系統(tǒng)性能。
OCXO將提供更廣闊的工作溫度范圍
傳統(tǒng)石英晶振OCXO晶振是從頭定制的產(chǎn)品。它們?cè)谔匦缘目捎眯苑矫娲嬖趪?yán)重限制，例如頻率、輸出類(lèi)型、工作溫度和系統(tǒng)內(nèi)控制。SiTime晶振的MEMS OCXO晶振則沒(méi)有這些限制。通過(guò)使用可編程模擬架構(gòu)，OCXO晶振可提供1-220MHz范圍內(nèi)任意頻率，確?？蛻?hù)能為自己的應(yīng)用選擇最佳頻率。此外，該器件還提供LVCMOS和限幅正弦波兩種輸出類(lèi)型，以實(shí)現(xiàn)最佳板性能。
在不久的將來(lái)，OCXO晶振將提供更廣闊的工作溫度范圍（-40到+95°C，-40到+105°C）和用于系統(tǒng)內(nèi)編程的I2C串行接口。
在5G之前，OCXO晶振部署在良好受控的環(huán)境中。現(xiàn)在計(jì)算、核心網(wǎng)絡(luò)和無(wú)線電將被整合到一個(gè)系統(tǒng)內(nèi)并有可能被部署到諸如塔樓、屋頂或燈柱等非受控環(huán)境中。在這樣的環(huán)境中，OCXO晶振將承受振動(dòng)和極端溫度帶來(lái)的考驗(yàn)。這種部署架構(gòu)上的改變需要新思路，也要對(duì)MEMS時(shí)序技術(shù)和石英時(shí)序技術(shù)的各自?xún)?yōu)勢(shì)進(jìn)行評(píng)估。
在所有晶振廠家產(chǎn)品中，MEMS恒溫晶振在時(shí)序中提供頂級(jí)性能，是所有通信網(wǎng)絡(luò)可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。然而，基于石英的OCXO晶振對(duì)諸如振動(dòng)、溫度變化和沖擊等環(huán)境壓力因素極為敏感，這會(huì)降低網(wǎng)絡(luò)性能、減少正常運(yùn)行時(shí)間，并影響任務(wù)關(guān)鍵型服務(wù)，如自動(dòng)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)。
鑒于傳統(tǒng)石英OCXO晶振的敏感性，客戶(hù)必須采取大量預(yù)防措施以確?？煽窟\(yùn)行。一大難題是OCXO晶振的電路板布局。OCXO晶振在布局時(shí)需要遠(yuǎn)離壓力因素，例如熱量和氣流誘發(fā)的熱沖擊。這樣會(huì)導(dǎo)致布線復(fù)雜性增加和潛在的信號(hào)完整性問(wèn)題。此外，設(shè)計(jì)人員也嘗試使用專(zhuān)門(mén)的塑封型OCXO晶振蓋進(jìn)行熱隔離，但這會(huì)增加制造步驟和生產(chǎn)復(fù)雜性。MEMS OCXO晶振消除了所有這些問(wèn)題：它們簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間、加速營(yíng)收，同時(shí)提升系統(tǒng)性能。
OCXO將提供更廣闊的工作溫度范圍
傳統(tǒng)石英晶振OCXO晶振是從頭定制的產(chǎn)品。它們?cè)谔匦缘目捎眯苑矫娲嬖趪?yán)重限制，例如頻率、輸出類(lèi)型、工作溫度和系統(tǒng)內(nèi)控制。SiTime晶振的MEMS OCXO晶振則沒(méi)有這些限制。通過(guò)使用可編程模擬架構(gòu)，OCXO晶振可提供1-220MHz范圍內(nèi)任意頻率，確?？蛻?hù)能為自己的應(yīng)用選擇最佳頻率。此外，該器件還提供LVCMOS和限幅正弦波兩種輸出類(lèi)型，以實(shí)現(xiàn)最佳板性能。
在不久的將來(lái)，OCXO晶振將提供更廣闊的工作溫度范圍（-40到+95°C，-40到+105°C）和用于系統(tǒng)內(nèi)編程的I2C串行接口。
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【責(zé)任編輯】：壹兆電子版權(quán)所有：http://ellentracy.cn轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處
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