愛普生晶振,貼片晶振,MC-405晶振,Q13MC4051000300晶振
頻率：32.768KHZ
尺寸：11.41*4.06mm
愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,（32.768KHZ）系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應用范圍也比較廣闊,所有的時記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域.是對應陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領域的一種性價比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機、筆記本電腦、移動電話等.等用途.
愛普生晶振,貼片晶振,MC-405晶振,Q13MC4051000300晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振的研磨技術：通過對晶振切割整形后的晶片進行研磨，使石英晶振的晶片達到（厚度/頻率）的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關系為：在壓電晶體行業(yè)，生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術水平的一個方面，通過理論與實際相結合，累積多年的晶振研磨經(jīng)驗，通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術，注重貼片晶振研磨過程的各種細節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設備的選擇；
|
|
愛普生千赫茲音叉晶振型號晶振:
| Model/型號 | Frequency/頻率 | Oper. Temper. Range/工作溫度 | ESR[MAX] 等效串聯(lián)電阻 | Drive Level[Max]驅動電平 | Tumover Temperature | LxWxH/尺寸 | Parabolic Coefficient | Freq.Aging@+25C[Max] | Terminal Plating |
| MC-406 | 120.000000 kHz | -40 to +85 °C | ≤ TBD KΩ | ≤ 1 µW | +25ºC +/-5ºC | 10.41 x 4.06 x 3.6 mm | -0.04 x 10^-6/°C² | +/-5 ppm | Sn-Bi |
| MC-406 | 31.250000 kHz | -40 to +85 °C | ≤ TBD KΩ | ≤ 1 µW | +25ºC +/-5ºC | 10.41 x 4.06 x 3.6 mm | -0.04 x 10^-6/°C² | +/-5 ppm | Sn-Bi |
| MC-406 | 141.200000 kHz | -40 to +85 °C | ≤ TBD KΩ | ≤ 1 µW | +25ºC +/-5ºC | 10.41 x 4.06 x 3.6 mm | -0.04 x 10^-6/°C² | +/-5 ppm | Sn-Bi |
| MC-406 | 134.700000 kHz | -40 to +85 °C | ≤ TBD KΩ | ≤ 1 µW | +25ºC +/-5ºC | 10.41 x 4.06 x 3.6 mm | -0.04 x 10^-6/°C² | +/-5 ppm | Pure-Sn |
| MC-406 | 144.600000 kHz | -40 to +85 °C | ≤ TBD KΩ | ≤ 1 µW | +25ºC +/-5ºC | 10.41 x 4.06 x 3.6 mm | -0.04 x 10^-6/°C² | +/-5 ppm | Pure-Sn |
| MC-405 | 32.768000 kHz | -40 to +85 °C | ≤ 50 KΩ | ≤ 1 µW | +25ºC +/-5ºC | 10.41 x 4.06 x 3.6 mm | -0.04 x 10^-6/°C² | +/-3 ppm | Sn-Bi |
| MC-405 | 32.768000 kHz | -40 to +85 °C | ≤ 50 KΩ | ≤ 1 µW | +25ºC +/-5ºC | 10.41 x 4.06 x 3.6 mm | -0.04 x 10^-6/°C² | +/-3 ppm | Sn-Bi |
| MC-405 | 32.768000 kHz | -40 to +85 °C | ≤ 50 KΩ | ≤ 1 µW | +25ºC +/-5ºC | 10.41 x 4.06 x 3.6 mm | -0.04 x 10^-6/°C² | +/-3 ppm | Sn-Bi |
| MC-405 | 32.768000 kHz | -40 to +85 °C | ≤ 50 KΩ | ≤ 1 µW | +25ºC +/-5ºC | 10.41 x 4.06 x 3.6 mm | -0.04 x 10^-6/°C² | +/-3 ppm | Sn-Bi |
| MC-405 | 32.768000 kHz | -40 to +85 °C | ≤ 50 KΩ | ≤ 1 µW | +25ºC +/-5ºC | 10.41 x 4.06 x 3.6 mm | -0.04 x 10^-6/°C² | +/-3 ppm | Sn-Bi |
| MC-405 | 32.768000 kHz | -40 to +85 °C | ≤ 50 KΩ | ≤ 1 µW | +25ºC +/-5ºC | 10.41 x 4.06 x 3.6 mm | -0.04 x 10^-6/°C² | +/-3 ppm | Sn-Bi |
編碼
Model/型號
Frequency/頻率
Oper. Temper. Range/工作溫度
ESR[MAX] 等效串聯(lián)電阻
Drive Level[Max]驅動電平
Tumover Temperature
LxWxH/尺寸
Parabolic Coefficient
Freq.Aging@+25C[Max]
Terminal Plating
Q14MC4061001300
MC-406
120.000000 kHz
-40 to +85 °C
≤ TBD KΩ
≤ 1 µW
+25ºC +/-5ºC
10.41 x 4.06 x 3.6 mm
-0.04 x 10^-6/°C²
+/-5 ppm
Sn-Bi
Q14MC4061001900
MC-406
31.250000 kHz
-40 to +85 °C
≤ TBD KΩ
≤ 1 µW
+25ºC +/-5ºC
10.41 x 4.06 x 3.6 mm
-0.04 x 10^-6/°C²
+/-5 ppm
Sn-Bi
Q14MC4061004700
MC-406
141.200000 kHz
-40 to +85 °C
≤ TBD KΩ
≤ 1 µW
+25ºC +/-5ºC
10.41 x 4.06 x 3.6 mm
-0.04 x 10^-6/°C²
+/-5 ppm
Sn-Bi
Q14MC4062001500
MC-406
134.700000 kHz
-40 to +85 °C
≤ TBD KΩ
≤ 1 µW
+25ºC +/-5ºC
10.41 x 4.06 x 3.6 mm
-0.04 x 10^-6/°C²
+/-5 ppm
Pure-Sn
Q14MC4062004500
MC-406
144.600000 kHz
-40 to +85 °C
≤ TBD KΩ
≤ 1 µW
+25ºC +/-5ºC
10.41 x 4.06 x 3.6 mm
-0.04 x 10^-6/°C²
+/-5 ppm
Pure-Sn
Q13MC4051000300
MC-405
32.768000 kHz
-40 to +85 °C
≤ 50 KΩ
≤ 1 µW
+25ºC +/-5ºC
10.41 x 4.06 x 3.6 mm
-0.04 x 10^-6/°C²
+/-3 ppm
Sn-Bi
Q13MC4051000700
MC-405
32.768000 kHz
-40 to +85 °C
≤ 50 KΩ
≤ 1 µW
+25ºC +/-5ºC
10.41 x 4.06 x 3.6 mm
-0.04 x 10^-6/°C²
+/-3 ppm
Sn-Bi
Q13MC4051000800
MC-405
32.768000 kHz
-40 to +85 °C
≤ 50 KΩ
≤ 1 µW
+25ºC +/-5ºC
10.41 x 4.06 x 3.6 mm
-0.04 x 10^-6/°C²
+/-3 ppm
Sn-Bi
Q13MC4051001100
MC-405
32.768000 kHz
-40 to +85 °C
≤ 50 KΩ
≤ 1 µW
+25ºC +/-5ºC
10.41 x 4.06 x 3.6 mm
-0.04 x 10^-6/°C²
+/-3 ppm
Sn-Bi
Q13MC4051002900
MC-405
32.768000 kHz
-40 to +85 °C
≤ 50 KΩ
≤ 1 µW
+25ºC +/-5ºC
10.41 x 4.06 x 3.6 mm
-0.04 x 10^-6/°C²
+/-3 ppm
Sn-Bi
Q13MC4051003100
MC-405
32.768000 kHz
-40 to +85 °C
≤ 50 KΩ
≤ 1 µW
+25ºC +/-5ºC
10.41 x 4.06 x 3.6 mm
-0.04 x 10^-6/°C²
+/-3 ppm
Sn-Bi
大體積晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。愛普生晶振,貼片晶振,MC-405晶振,Q13MC4051000300晶振
耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英無源晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存石英進口晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
愛普生晶振集團環(huán)?；纠砟睿鹤鳛榱己玫钠髽I(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關心維護地球環(huán)境.遵守國內外的有關環(huán)保法規(guī).保護自然環(huán)境,充分關注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護,維持和保全生物多樣性.有效利用資源和能源,認識到陶瓷面無源晶振資源和能源的有限性,努力進行有效利用.愛普生晶振,貼片晶振,MC-405晶振,Q13MC4051000300晶振
為構建循環(huán)型社會做出貢獻,致力于減少溫補晶振,石英晶體振蕩器, 壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、表面陶瓷面晶振、,貼片晶振材料的廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構建循環(huán)型社會.推進環(huán)保型業(yè)務,充分發(fā)揮綜合實力,推進石英晶振,貼片晶振環(huán)保型業(yè)務,為減輕社會的環(huán)境負荷做出貢獻.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運用環(huán)境管理系統(tǒng),設定環(huán)境目的和目標,定期修正,不斷改善,努力預防環(huán)境污染.
愛普生晶振集團所生產(chǎn)的壓電石英晶體、四腳陶瓷殼貼片晶振,有源晶體,溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）完全符合ISO14001環(huán)境管理體系標準的要求,體現(xiàn)了一個適合、三個承諾和一個框架：建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動、產(chǎn)品以及服務過程的性質.規(guī)模與環(huán)境影響；持續(xù)改進——持續(xù)改進環(huán)境績效和環(huán)境管理體系的承諾；
聯(lián)系人：龔成
QQ：769468702
手機：13590198504
郵箱:[email protected]
網(wǎng)站:http://ellentracy.cn
采購：愛普生晶振,貼片晶振,MC-405晶振,Q13MC4051000300晶振
- *聯(lián)系人：
- *手機：
- 公司名稱：
- 郵箱：
- *采購意向：
-
*驗證碼：
跟此產(chǎn)品相關的產(chǎn)品 / Related Products
- 愛普生晶振,貼片晶振,MC-406晶振,Q13MC4061000200晶振
- 小型貼片石英晶體,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
- AEL晶振,貼片晶振,60639晶振
- 貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
- AEL晶振,貼片晶振,60609晶振
- 32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
晶振廠家
臺產(chǎn)晶振
日產(chǎn)晶振
歐美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal
- IDTcrystal晶振
- Pletronics晶振
- Statek晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- FOX晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- ILSI晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- QuartzChnik晶振
- SUNTSU晶振
- Transko晶振
- WI2WI晶振
- 韓國三呢晶振
- ACT晶振
- MTI-Milliren晶振
- LiHom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- C-TECH晶振
- KVG晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- Filtronetics晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- ARGO晶振
- Skyworks晶振
- Renesas瑞薩晶振
32.768K
有源晶振
貼片晶振
應用領域
電話：86-0755-27876236
手機：135-9019-8504
QQ：769468702
地址：中國廣東深圳市寶安區(qū)沙井街道上星咸夫大廈F座2號903
