愛普生晶振,有源晶振,SG-210SDD晶振,X1G0029310001晶振
頻率：50~80MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
并創(chuàng)出將其復(fù)合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進(jìn)至今.伴隨信息化社會的進(jìn)程,現(xiàn)在石英晶振元器件已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛普生拓優(yōu)科夢（Epson — yocom）將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時,融合愛普生集團(tuán)的半導(dǎo)體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗到利用價值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會的發(fā)展以及實現(xiàn)更舒暢的未來而竭誠奉獻(xiàn).
愛普生晶振,有源晶振,SG-210SDD晶振,X1G0029310001晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊盤（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
晶振的真空封裝技術(shù)：是指日產(chǎn)晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
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型號 |
符號 |
參數(shù) |
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輸出規(guī)格 |
- |
CMOS |
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輸出頻率范圍 |
fo |
50~80MHZ |
|
電源電壓 |
VCC |
2.2~3.0V |
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頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
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保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
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運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃ ,-40-+85℃ |
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消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
|
待機(jī)時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
|
波形對稱 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
- |
|
1電平電壓 |
VOH |
- |
|
上升時間 下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
|
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
|
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
|
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
|
交叉點電壓 |
Vcr |
- |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
|
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
愛普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SCD
50.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SCD
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SCD
77.700000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SCD
63.071918 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SDD
50.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SDD
62.500000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SDD
62.500000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SDD
75.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0029210086
SG-210SCD
50.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029210087
SG-210SCD
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029210088
SG-210SCD
77.700000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029210094
SG-210SCD
63.071918 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029310001
SG-210SDD
50.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
X1G0029310008
SG-210SDD
62.500000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
X1G0029310009
SG-210SDD
62.500000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
X1G0029310010
SG-210SDD
75.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
機(jī)械振動的影響:當(dāng)2520晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。 愛普生晶振,有源晶振,SG-210SDD晶振,X1G0029310001晶振
PCB設(shè)計指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于金屬面晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響壓電石英晶體頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
環(huán)境行為評價：評價我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).加強(qiáng)環(huán)境意識教育,提高環(huán)境意識,充分調(diào)動職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）,智能手機(jī)晶振,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響. 愛普生晶振,有源晶振,SG-210SDD晶振,X1G0029310001晶振
我們的活動、產(chǎn)品高精度SMD晶振和服務(wù)首先要遵守和符合有關(guān)環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產(chǎn)中所使用的有毒有害物質(zhì)的替代,本著污染預(yù)防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器,,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會形象.
愛普生晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會的期望,改進(jìn)的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少超小型貼片晶振形式的廢物來實現(xiàn)這一承諾.愛普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個運(yùn)行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo).
聯(lián)系人：龔成
QQ：769468702
手機(jī)：13590198504
郵箱:[email protected]
網(wǎng)站:http://ellentracy.cn
采購：愛普生晶振,有源晶振,SG-210SDD晶振,X1G0029310001晶振
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- 愛普生晶振,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振
- 貼片石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
- 愛普生晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振
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- 愛普生晶振,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振
- 2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點,產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品.
晶振廠家
臺產(chǎn)晶振
日產(chǎn)晶振
歐美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal
- IDTcrystal晶振
- Pletronics晶振
- Statek晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- FOX晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- ILSI晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- QuartzChnik晶振
- SUNTSU晶振
- Transko晶振
- WI2WI晶振
- 韓國三呢晶振
- ACT晶振
- MTI-Milliren晶振
- LiHom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- C-TECH晶振
- KVG晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- Filtronetics晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- ARGO晶振
- Skyworks晶振
- Renesas瑞薩晶振
32.768K
有源晶振
貼片晶振
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