愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振
頻率：50-80MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振真空退火技術(shù)：32.768K晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。
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項目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
50-80MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.8-3.3 V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
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待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
30 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
Product Number
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Model
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Frequency
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LxWxH
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Output Wave
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Ope Temperature 
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Freq. Tol.
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I [Max]
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25°C Aging
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Aging2
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Symmetry
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| X1G0029410001 | SG-210SED | 75.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
| X1G0029410002 | SG-210SED | 75.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
| X1G0029410006 | SG-210SED | 50.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
| X1G0029410008 | SG-210SED | 72.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
| X1G0029410011 | SG-210SED | 50.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
| X1G0029410013 | SG-210SED | 66.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |
| X1G0029410014 | SG-210SED | 74.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |
| X1G0029410016 | SG-210SED | 60.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % |
愛普生有源晶體振蕩器產(chǎn)品列表:
壓控晶振的原理簡單的說就是產(chǎn)品在工作過程中有一個電壓穩(wěn)定控制功能，當(dāng)石英晶振在使用過程中遇到電壓變大或者變小的情況下，產(chǎn)品可以在自帶電壓功能的情況下把電壓控制在可接受范圍，以及控制振蕩器的PPM精度，不超出在需要的頻率內(nèi)，使其能夠穩(wěn)定的給CPU提供精準(zhǔn)信號，這就是壓控振蕩器的主要特點。
那么溫補晶振（TCXO）又有什么特點，溫補晶振簡單的來說就是在工作過程中起到溫度補償功能，那怎么個溫度補償法呢？其實原理跟壓控振蕩器一樣，比如說溫補晶振電壓有1.6V-1.8V-2.2V-2.8V-3V-3.3V-5V等幾款常用電壓。溫補晶振在工作過程中如果遇到了溫度變化很大的情況下，那這個時候溫度補償就起作用了，比如說溫補晶振的基本精度要求是0.5PPM，常溫要求是2ppm，那如果低溫超出的常溫的情況下，晶體的溫補功能就會把精度控制在一定的范圍內(nèi)，使精度變化在一個要求值的范圍，穩(wěn)定在高精度要求內(nèi)給CPU提供穩(wěn)定的信號。
愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振
從設(shè)計階段開始減少環(huán)保負(fù)荷的體制建設(shè)，愛普生由環(huán)保主管董事?lián)握麄€集團(tuán)的環(huán)?；顒拥目傌?fù)責(zé)人，由環(huán)保部跨事業(yè)所支持和促進(jìn)環(huán)?；顒印４送?，社長的咨詢機構(gòu)—環(huán)保委員會，還針對各據(jù)點的活動情況和全公司的環(huán)保課題進(jìn)行議論和探討。此外，為大力推進(jìn)二氧化碳減排活動，進(jìn)口晶振設(shè)立了“防止全球變暖委員會”，加快設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)過程中CO2減排活動的步伐。
截止到2006年度，愛普生晶振制作在國內(nèi)外的所有生產(chǎn)據(jù)點以及國內(nèi)的非生產(chǎn)據(jù)點——愛普生晶振制作總公司、東京分公司、營業(yè)所，均取得了ISO14001認(rèn)證。此后，愛普生晶振制作努力開展體系整合，2520小體積晶體振蕩器并于2007年3月在國內(nèi)集團(tuán)的34個據(jù)點完成了向ISO14001多站認(rèn)證的轉(zhuǎn)變。愛普生晶振制作力求通過此舉，落實從設(shè)計、開發(fā)到生產(chǎn)、銷售的一條龍環(huán)保管理，同時還將在一部分據(jù)點取得顯著成效的改善事例推廣應(yīng)用到其他據(jù)點等，以提高整個集團(tuán)的環(huán)?？冃?。
愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振
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