愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410002晶振
頻率:13-52MHZ
尺寸:2.0*1.6mm
貼片石英晶振適合用于車(chē)載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對(duì)應(yīng)有高的可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡(jiǎn)稱(chēng)為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線(xiàn)要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410002晶振,目前國(guó)外進(jìn)口晶振品牌中大多數(shù)的品牌都在慢慢減少生產(chǎn)SMD系列產(chǎn)品了,因系列體積大,很多電子產(chǎn)品接受小尺寸,而且生產(chǎn)過(guò)程中使用的材料也要比小型的貼片晶振多,況且現(xiàn)在小尺寸的貼片晶振產(chǎn)量大于系列,所以生產(chǎn)這種的大體積成本就更高的了.普通貼片石英晶振外觀(guān)使用金屬材料封裝的,具有高的穩(wěn)定性,高的可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀(guān)本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高的可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤(pán),可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——SMD有源晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說(shuō)明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
13-52MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.8-3.3V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +90℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -30℃ to +85℃ |
|||
|
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±0.2× 10-6 |
|
L: ±2.0× 10-6 |
|||
T: ±0.5× 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
10 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
Product Number | Model | Frequency | LxWxH | Output Wave | F.Tol@25°C | Ope Temperature | Freq/Temp | I [Max] | Freq. Control | 25°C Aging |
X1G0041310004 | TG-5006CJ | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | |
X1G0041310006 | TG-5006CJ | 16.367667 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | |
X1G0041310007 | TG-5006CJ | 16.368000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | |
X1G0041310008 | TG-5006CJ | 16.369000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | |
X1G0041310009 | TG-5006CJ | 19.200000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | |
X1G0041310010 | TG-5006CJ | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | |
X1G0041310011 | TG-5006CJ | 38.400000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm | |
X1G0041310013 | TG-5006CJ | 16.367667 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-2.00 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | |
X1G0041310014 | TG-5006CJ | 16.368000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-2.00 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | |
X1G0041310015 | TG-5006CJ | 16.369000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-2.00 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
愛(ài)普生有源晶體振蕩器產(chǎn)品列表:
石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類(lèi)型的注意事項(xiàng)
(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀(guān)采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開(kāi)裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
(2)陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產(chǎn)品
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開(kāi)裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)有源晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請(qǐng)不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。
愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410002晶振
愛(ài)普生晶振以“遵紀(jì)守法”、“零排放”和“削減廢棄物”為基本方針進(jìn)行廢棄物管理。
愛(ài)普生晶振為了削減事業(yè)活動(dòng)中排放的碳排放總量,提出了防止地球變暖的方針,為了達(dá)成目標(biāo),汽車(chē)電子晶振組織起防止地球變暖委員會(huì),包括從產(chǎn)品與生產(chǎn)設(shè)備的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)階段到生產(chǎn)工序的削減對(duì)策在內(nèi),由愛(ài)普生晶振集團(tuán)整體持續(xù)不斷地推進(jìn)全公司上下有組織的活動(dòng)。
隨著事業(yè)的成長(zhǎng),碳排放呈現(xiàn)增加的趨勢(shì),但是愛(ài)普生將繼續(xù)推進(jìn)由防止地球變暖特別委員會(huì)開(kāi)展的活動(dòng),作為活動(dòng)主體,SMD晶體振蕩器通過(guò)橫向開(kāi)展改進(jìn)能源效率的措施、與積極實(shí)施性?xún)r(jià)比較高的節(jié)能措施,為削減愛(ài)普生集團(tuán)整體的碳排放總量而努力。
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跟此產(chǎn)品相關(guān)的產(chǎn)品 / Related Products
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- 愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG2016SBN晶振,X1G0046910106晶振
小型貼片有源晶振,外觀(guān)尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線(xiàn)藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線(xiàn)要求.
- 愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG2016SAN晶振,X1G0044210003晶振
貼片石英晶體振蕩器,又簡(jiǎn)稱(chēng)為排帶包裝,這是這產(chǎn)品采用排帶盤(pán)式包裝,使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動(dòng)貼片機(jī)高的速的焊接,大大節(jié)約人工,提高的工作效率,其本身主要應(yīng)用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品,或者是控制模塊,主要給時(shí)鐘芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào),其主要各項(xiàng)功能還得看應(yīng)用何種產(chǎn)品.本產(chǎn)品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮溫補(bǔ)晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高的溫回流溫度曲線(xiàn)要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
晶振廠(chǎng)家
臺(tái)產(chǎn)晶振
日產(chǎn)晶振
歐美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal
- IDTcrystal晶振
- Pletronics晶振
- Statek晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
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- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- FOX晶振
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- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
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- WI2WI晶振
- 韓國(guó)三呢晶振
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- MTI-Milliren晶振
- LiHom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- C-TECH晶振
- KVG晶振
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- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
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- Filtronetics晶振
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- Skyworks晶振
- Renesas瑞薩晶振
32.768K
有源晶振
貼片晶振
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