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愛(ài)普生晶振,SPXO晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410001晶振

頻率：80-170MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體振蕩器.也可對(duì)應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡(jiǎn)稱為時(shí)鐘晶體振蕩器,有源晶振在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

訂購(gòu)熱線：0755-27876236

愛(ài)普生晶振,SPXO晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410001晶振,普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).

石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì)：石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于壓電晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單，第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大，故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求。

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f₀	80-170MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.8-3.3 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://ellentracy.cn
		H: -40℃ to +105℃

頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

愛(ài)普生有源晶體振蕩器編碼列表:

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0039410001	SG-210SDH	100.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 7.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0039410002	SG-210SDH	125.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 9.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0039410003	SG-210SDH	100.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 7.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0039410004	SG-210SDH	133.333000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 9.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0039410008	SG-210SDH	125.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 9.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0039410010	SG-210SDH	100.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 7.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0039410013	SG-210SDH	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 9.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0039410014	SG-210SDH	125.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 7.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

SG-210SEBA SDBA SCBA 2520 COMS

愛(ài)普生有源晶體振蕩器產(chǎn)品列表:

SG-210S

這個(gè)問(wèn)題的可能性相對(duì)較小。請(qǐng)確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式，由于放大電路的反饋大。當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問(wèn)題可能會(huì)發(fā)生。為了解決這個(gè)問(wèn)題，請(qǐng)采用三次泛音模式晶振。

5-2。此外，放大電路，第三色調(diào)模式設(shè)計(jì)不當(dāng)也可能導(dǎo)致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。

系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。

6-1。請(qǐng)參照資料2.也可以提高終端石英晶振電容解決方案，然后檢查波形幅度是否得到改善。

7-1。請(qǐng)確定使用頻譜分析儀機(jī)中斷信號(hào)的頻率。我們可以發(fā)現(xiàn)存在的問(wèn)題是根據(jù)頻率什么。

7-2。如果是從電源的交流信號(hào)，請(qǐng)檢查電源和信號(hào)的兩個(gè)理由的狀態(tài)是否是浮動(dòng)的。請(qǐng)改為浮動(dòng)，如果它不是。

7-3。如果信號(hào)具有高頻率，請(qǐng)使用以下方法：使用晶振外殼為接地。采用水晶較小C0。

增加電路，鎘和CG的外部電容，并采用石英晶體具有較高的負(fù)載電容CL。

7-4。請(qǐng)檢查周圍電路和PCB布局，如果上面的方法都沒(méi)有能夠解決您的問(wèn)題。如果兩者都正常，那么請(qǐng)你聯(lián)系IC制造商探討其芯片組設(shè)計(jì)的不明信號(hào)的反應(yīng)。改變周圍電路的設(shè)計(jì)只能緩解問(wèn)題，而不是完全解決它。通常。這將是最好找出來(lái)的芯片組設(shè)計(jì)問(wèn)題并解決它。

愛(ài)普生晶振,SPXO晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410001晶振

愛(ài)普生晶振集團(tuán)為確保安全、提高保護(hù)預(yù)防措施、產(chǎn)品的可靠性以及職業(yè)安全，確保職業(yè)健康與環(huán)境的優(yōu)越性，通過(guò)正式的管理評(píng)審和對(duì)健康、安全和環(huán)境實(shí)施效果的持續(xù)改進(jìn)，保護(hù)人群及財(cái)產(chǎn)與環(huán)境。

愛(ài)普生晶振集團(tuán)建立一種可測(cè)量的發(fā)展和改進(jìn)的目標(biāo)指標(biāo)，定期進(jìn)行內(nèi)審和管理評(píng)審。2520耐高溫有源晶振在現(xiàn)有的或新生的各種活動(dòng)中不斷監(jiān)測(cè)和改進(jìn)環(huán)境績(jī)效。通過(guò)對(duì)生產(chǎn)活動(dòng)的持續(xù)改進(jìn)和促進(jìn)對(duì)低效或無(wú)效的環(huán)境法律法規(guī)進(jìn)行合理化轉(zhuǎn)變，努力提高環(huán)境管理中資本的效力。

將生產(chǎn)活動(dòng)中的環(huán)境因素和環(huán)境影響的分析納入我們的決策中來(lái)，確?；顒?dòng)中每一分子的運(yùn)作和發(fā)展都體現(xiàn)對(duì)污染預(yù)防方針的貫徹。

我們將定期對(duì)雇員進(jìn)行教育和培訓(xùn)，貼片晶振確保他們能夠安全高效的工作，樹立他們的環(huán)保責(zé)任感。與雇員、客戶、公眾、政府及關(guān)注公司環(huán)境績(jī)效和持續(xù)改進(jìn)計(jì)劃的相關(guān)方進(jìn)行充分開放的信息交流。

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高品質(zhì)貼片晶振 2520SPXO晶振 SG-210SDH晶振 X1G0039410001晶振

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愛(ài)普生晶振,SPXO晶振,SG-8101CG晶振,X1G0056010011晶振

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,日產(chǎn)晶振產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊盤（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.

: 愛(ài)普生晶振,SPXO晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振; 金屬面貼片晶振,表面金屬封裝,其實(shí)是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環(huán)保性能,嚴(yán)格的頻率分選,編帶盤裝,數(shù)碼電子晶振可應(yīng)用于高速自動(dòng)貼片機(jī)焊接,產(chǎn)品本身設(shè)計(jì)合理,成本和性能良好,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于平板電腦,MP5,數(shù)碼相機(jī),USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.

: 愛(ài)普生晶振,SPXO晶振,SG-210SCD晶振,X1G0029210002晶振; 貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,愛(ài)普生晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求

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