愛(ài)普生晶振,SPXO晶振,SG-210SEH晶振,X1G0039510001晶振
頻率:80-170MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
愛(ài)普生晶振,SPXO晶振,SG-210SEH晶振,X1G0039510001晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線(xiàn)要求.
石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、TCXO晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對(duì)于晶振的條片,長(zhǎng)邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸。對(duì)于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說(shuō)明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
80-170MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.8-3.3 V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
|||
|
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
Product Number | Model | Frequency | LxWxH | Output Wave | Ope Temperature | Freq. Tol. | I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry |
X1G0039510001 | SG-210SEH | 125.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039510002 | SG-210SEH | 100.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039510003 | SG-210SEH | 133.333000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039510004 | SG-210SEH | 156.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039510008 | SG-210SEH | 100.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-100 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039510009 | SG-210SEH | 133.330000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039510010 | SG-210SEH | 145.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039510011 | SG-210SEH | 150.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039510013 | SG-210SEH | 100.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-100 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % |
愛(ài)普生有源晶體振蕩器產(chǎn)品列表:
我們可以改善的頻率輸出的偏差超過(guò)范圍由以下幾個(gè)方法:
調(diào)整外部電容,Cd和CG的值。
如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高,要增加外部電容CL(或Cd以及C 8的值),以降低頻率到我們的石英晶體振蕩器頻率,反之亦然。
可以采用不同負(fù)載電容(CL)的晶振試用。
試用石英晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話(huà)。
請(qǐng)檢查波形幅度是否是正常或不使用示波器,正確的電容是通過(guò)和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率(較低的外部電容,并采用低電容的晶體)的情況。
頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。
VCXO晶振具有多種振動(dòng)模式,如基頻, 3次泛音,5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí),晶振的電阻是最低的,這意味著它是最簡(jiǎn)單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用,一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此,如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí),要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了,因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式,而不是第三次泛音調(diào)模式。
該電路可能不振蕩,如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。
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愛(ài)普生晶振集團(tuán)運(yùn)用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進(jìn)行環(huán)境管理,盡最大可能減小業(yè)務(wù)活動(dòng)對(duì)環(huán)境造成的負(fù)擔(dān),金屬面晶振并通過(guò)業(yè)務(wù)發(fā)展推進(jìn)環(huán)境改善。
愛(ài)普生晶振遵守所有適用的有關(guān)環(huán)境、健康和安全的法律和法規(guī)以及晶振集團(tuán)自己的有關(guān)環(huán)境、工業(yè)衛(wèi)生和安全的方針和承諾。
與我們的員工一起開(kāi)創(chuàng)并保持一個(gè)免于事故的工作場(chǎng)所。低抖動(dòng)四腳貼片晶振重視污染預(yù)防,消除偏離程序的行為強(qiáng)調(diào)通過(guò)員工努力這一最可行的方法持續(xù)改進(jìn)我們經(jīng)營(yíng)活動(dòng)的環(huán)境績(jī)效。
將持續(xù)的環(huán)境、健康和安全方面的改進(jìn)、污染預(yù)防和員工的努力納入日常運(yùn)行當(dāng)中。加強(qiáng)污染防治,減少現(xiàn)有的污染廢棄物以及在未來(lái)生產(chǎn)制造中所產(chǎn)生的污染。
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