愛普生晶振,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振
頻率：2~60MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
精工愛普生株式會(huì)社（總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡(jiǎn)稱為“愛普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國(guó)區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛普生水晶宣布將高端的OCS石英晶振生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到中國(guó)蘇州愛普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.因?yàn)橹悄苁謾C(jī),以及GPS衛(wèi)星導(dǎo)航的普及,有源晶振得到迅速的發(fā)展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產(chǎn)品型號(hào),愛普生料號(hào)等.
愛普生晶振,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性壓電晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。
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型號(hào) |
符號(hào) |
參數(shù) |
|
輸出規(guī)格 |
- |
CMOS |
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輸出頻率范圍 |
fo |
2~60MHZ |
|
電源電壓 |
VCC |
2.7~3.6V |
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頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
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保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
|
運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃ ,-40-+85℃ |
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消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
|
待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
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輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
|
波形對(duì)稱 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
- |
|
1電平電壓 |
VOH |
- |
|
上升時(shí)間 下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
|
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
|
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
|
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
|
交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動(dòng)（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動(dòng)（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
|
相位抖動(dòng) |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
愛普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG7050EBN
156.253906 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 55.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG7050EBN
156.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 55.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG7050EBN
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 55.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG7050EBN
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 55.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG-210SCBA
12.288000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SCBA
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SCBA
49.090000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SCBA
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 4.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
|
Model | Frequency | LxWxH |
|
|
|
I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0045110012 | SG7050EBN | 156.253906 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.70 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 55.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0045110601 | SG7050EBN | 156.250000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.70 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 55.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0045110602 | SG7050EBN | 125.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.70 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 55.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0045110603 | SG7050EBN | 100.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.70 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 55.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0045910026 | SG-210SCBA | 12.288000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004591A001 | SG-210SCBA | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004591A002 | SG-210SCBA | 49.090000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004591A003 | SG-210SCBA | 40.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 4.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % |
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管進(jìn)口貼片晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。愛普生晶振,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振
晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?/span>貼片晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。
進(jìn)口晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安 裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。
愛普生晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)CMOS驅(qū)動(dòng)2520晶振的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實(shí)現(xiàn)這一承諾.愛普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo). 愛普生晶振,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振
環(huán)境行為評(píng)價(jià)：評(píng)價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績(jī).我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).加強(qiáng)環(huán)境意識(shí)教育,提高進(jìn)口OSC晶體振蕩器環(huán)境意識(shí),充分調(diào)動(dòng)職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）,晶振,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響.
我們的活動(dòng)、產(chǎn)品和服務(wù)首先要遵守和符合有關(guān)環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產(chǎn)中所使用的有毒有害物質(zhì)的替代,本著污染預(yù)防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器,四腳貼片晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會(huì)形象.
聯(lián)系人：龔成
QQ：769468702
手機(jī)：13590198504
郵箱:[email protected]
網(wǎng)站:http://ellentracy.cn
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- 愛普生晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振
- 有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊盤（無鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
- 愛普生晶振,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振
- 2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對(duì)應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品.
晶振廠家
臺(tái)產(chǎn)晶振
日產(chǎn)晶振
歐美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal
- IDTcrystal晶振
- Pletronics晶振
- Statek晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- FOX晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- ILSI晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- QuartzChnik晶振
- SUNTSU晶振
- Transko晶振
- WI2WI晶振
- 韓國(guó)三呢晶振
- ACT晶振
- MTI-Milliren晶振
- LiHom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- C-TECH晶振
- KVG晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- Filtronetics晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- ARGO晶振
- Skyworks晶振
- Renesas瑞薩晶振
32.768K
有源晶振
貼片晶振
應(yīng)用領(lǐng)域
電話：86-0755-27876236
手機(jī)：135-9019-8504
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