愛普生晶振,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振
頻率：2~60MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
愛普生品牌系列千赫子的石英貼片晶振,目前占據了中國市場進口晶25％的份額,品牌質量,貨期,品種,品質是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機模塊啟用開始,在到國內外各大知名品牌手機,最后應用到國內山寨手機市場,幾乎占據80％的手機行業(yè)晶振類別,產品2520晶振本身特點是體積小,耐高溫,穩(wěn)定性能高,排帶包裝,應用自動貼片方便.愛普生晶振小體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統,因產品本身體積小,SMD編帶型,可應用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應用到各種小巧的便攜式消費電子數碼時間產品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標準.
愛普生晶振,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振,小型貼片有源晶振,體積的變小也使產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,貼片高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和各式IT產品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數碼領域,符合RoHS/無鉛.
石英晶振產品電極的設計：石英晶振產品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡單，第4項的設計很關鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產品的影響的程度增大，故對電極的設計提出了更精準的要求。
|
型號 |
符號 |
參數 |
|
輸出規(guī)格 |
- |
CMOS |
|
輸出頻率范圍 |
fo |
2~60MHZ |
|
電源電壓 |
VCC |
2.2~3.3V |
|
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
|
運行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃ ,-40-+85℃ |
|
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
|
待機時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
輸出負載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
|
波形對稱 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
- |
|
1電平電壓 |
VOH |
- |
|
上升時間 下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
|
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
|
補償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
|
補償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
|
交叉點電壓 |
Vcr |
- |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
|
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
愛普生有源進口MHZ振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SCBA
12.288000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SCBA
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SCBA
16.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SCBA
11.059200 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 4.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
20.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
16.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
16.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
32.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G004591A078
SG-210SCBA
12.288000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G004591A081
SG-210SCBA
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G004591A082
SG-210SCBA
16.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G004591A602
SG-210SCBA
11.059200 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 4.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004601A002
SG-210SDBA
20.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004601A003
SG-210SDBA
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004601A004
SG-210SDBA
16.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004601A005
SG-210SDBA
16.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004601A006
SG-210SDBA
32.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004601A007
SG-210SDBA
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
晶振產品使用每種產品時,請在貼片晶振規(guī)格說明或產品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。 愛普生晶振,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振
CMOS晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質和可靠性,必須在適當的條件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。
機械振動的影響:當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管進口晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
愛普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個運行部門,實施支持方針的系統的環(huán)境管理工具.我們將確保適當的人力資源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進低相位石英晶體振蕩器的目標和指標. 環(huán)境行為評價：評價我們運行以及員工的環(huán)境行為表現,確認支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠將方針與各自工作職責完全結合的培訓.愛普生晶振,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振
愛普生晶振集團所生產的壓電石英晶體、超小型晶振,溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）完全符合ISO14001環(huán)境管理體系標準的要求,體現了一個適合、三個承諾和一個框架：建造美麗家園——適合于我公司的生產活動、產品以及服務過程的性質.規(guī)模與環(huán)境影響；持續(xù)改進——持續(xù)改進環(huán)境績效和環(huán)境管理體系的承諾；減少污染,節(jié)能降耗——污染預防的承諾；依法治理——遵守現行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾；
“減少四腳貼片晶振污染,節(jié)能降耗,建造美麗家園；依法治理,持續(xù)改進,凈化一片藍天”提供了建立和評審環(huán)境目標和指標的框架.環(huán)境影響的最小化：遵照社會的期望,改進我們的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實現這一承諾.
聯系人：龔成
QQ：769468702
手機：13590198504
郵箱:[email protected]
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