愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振
頻率：2-60MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,其實(shí)是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環(huán)保性能,嚴(yán)格的頻率分選,編帶盤裝,可應(yīng)用于高速自動(dòng)貼片機(jī)焊接,產(chǎn)品本身設(shè)計(jì)合理,成本和性能良好,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于平板電腦,MP5,數(shù)碼相機(jī),USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使低損耗晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。
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項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
2-60MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.8-3.3 V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://ellentracy.cn |
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H: -40℃ to +105℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
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待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
Product Number
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Model
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Frequency
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LxWxH
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Output Wave
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Ope Temperature 
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Freq. Tol.
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I [Max]
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25°C Aging
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Aging2
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Symmetry
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| X1G004611A002 | SG-210SEBA | 19.200000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-100 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
| X1G004611A003 | SG-210SEBA | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
| X1G004611A004 | SG-210SEBA | 20.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
| X1G004611A005 | SG-210SEBA | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
| X1G004611A006 | SG-210SEBA | 26.973027 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
| X1G004611A007 | SG-210SEBA | 37.500000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
| X1G004611A010 | SG-210SEBA | 20.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 1.6 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |
| X1G004611A011 | SG-210SEBA | 40.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-100 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % |
愛普生有源晶體振蕩器產(chǎn)品列表:
這些晶振知識(shí)介紹是指，晶振在產(chǎn)品上線之后發(fā)生不良品或者沒反應(yīng)的情況下，自檢辦法。石英晶振如果在電路上的功能不規(guī)則或根本無法全部晶振找出得到了應(yīng)用操作，請使用以下的清單找出可能存在的問題。請按照確定的因素和可能的解決方案的說明。
我們從晶振使用輸出無信號(hào)開始尋找相關(guān)問題。
我們可以先使用示波器或者頻率計(jì)數(shù)器來檢查石英晶體終端的兩個(gè)信號(hào)，如果沒有信號(hào)輸出，請按照步驟1-1到1-4步執(zhí)行檢查。如果有從石英晶振（XOUT）的輸出端子的輸出信號(hào)，而是從在終端（辛）輸出沒有信號(hào)，請檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。
你可以先把晶體卸載下來并測試SMD晶振的頻率和負(fù)載電容，看看他們是否能振動(dòng)，也可以使用專業(yè)的石英晶體測試儀器來檢測 。如果你沒法檢測你也可以將不良品發(fā)送給我公司，我們檢測分析之后告訴你結(jié)果。
如果有下列情況發(fā)生，晶振不起振，首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負(fù)載電容CL是否對，是否跟你的線路相匹配，或者是晶振的精度是否符合你的要求，或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析。如果晶振頻率和負(fù)載電容跟要求相對應(yīng)的話，我們將需要進(jìn)行等效電路測試。
愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振
愛普生充分認(rèn)識(shí)加強(qiáng)環(huán)境保護(hù)工作的重要性和緊迫性，把環(huán)境保護(hù)擺在更加重要的戰(zhàn)略位置，以對國家、對民族、2520mm石英晶體振蕩器對子孫后代高度負(fù)責(zé)的精神，切實(shí)做好環(huán)境保護(hù)工作，推動(dòng)經(jīng)濟(jì)社會(huì)全面協(xié)調(diào)可持續(xù)發(fā)展。
愛普生晶振公司提供從材料的選定到廢棄過程中考慮環(huán)境質(zhì)量的產(chǎn)品。加強(qiáng)制度建設(shè)，深化環(huán)境監(jiān)管，向環(huán)境污染宣戰(zhàn)，促進(jìn)經(jīng)濟(jì)與環(huán)境協(xié)調(diào)發(fā)展。
積極參與公司內(nèi)部活動(dòng)和地區(qū)環(huán)境改善活動(dòng)，為社會(huì)做出貢獻(xiàn)，實(shí)現(xiàn)公司的社會(huì)責(zé)任。實(shí)施公司內(nèi)部環(huán)境培訓(xùn)和訓(xùn)練，金屬面晶振推進(jìn)防污染和環(huán)?；顒?dòng)。遵守國內(nèi)外法律，遵守與客戶和地區(qū)的約定事項(xiàng)，與日常業(yè)務(wù)相融合，努力開展繼續(xù)改善環(huán)境的工作。
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有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,日產(chǎn)晶振產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊盤（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
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