愛普生晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振
頻率：2~60MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件（蘇州）有限公司】 愛普生拓優(yōu)科夢（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會(huì)社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事石英晶體振蕩器系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.
愛普生晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊盤（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、OSC石英晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。對于圓片晶振，X、Z 軸較難區(qū)分，所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠，點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。
|
型號(hào) |
符號(hào) |
參數(shù) |
|
輸出規(guī)格 |
- |
CMOS |
|
輸出頻率范圍 |
fo |
2~60MHZ |
|
電源電壓 |
VCC |
1.6~2.2V |
|
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
|
運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃ ,-40-+85℃ |
|
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
|
待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
|
波形對稱 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
- |
|
1電平電壓 |
VOH |
- |
|
上升時(shí)間 下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
|
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
|
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
|
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
|
交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動(dòng)（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動(dòng)（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
|
相位抖動(dòng) |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
愛普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SDBA
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
12.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
24.600000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
19.200000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
20.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G004601A007
SG-210SDBA
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004601A008
SG-210SDBA
12.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004601A009
SG-210SDBA
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004601A010
SG-210SDBA
24.600000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004611A002
SG-210SEBA
19.200000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004611A003
SG-210SEBA
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004611A004
SG-210SEBA
20.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004611A005
SG-210SEBA
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1：抗沖擊:抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。 愛普生晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振
3.：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 4：粘合劑:請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。）
5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用日產(chǎn)晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇
愛普生晶振集團(tuán)所生產(chǎn)的壓電石英晶體、普通石英晶體振蕩器,溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）完全符合ISO14001環(huán)境管理體系標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個(gè)適合、三個(gè)承諾和一個(gè)框架：建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動(dòng)、產(chǎn)品以及服務(wù)過程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響；持續(xù)改進(jìn)——持續(xù)改進(jìn)環(huán)境績效和環(huán)境管理體系的承諾；減少污染,節(jié)能降耗——污染預(yù)防的承諾；依法治理——遵守現(xiàn)行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾；愛普生晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振
“減少導(dǎo)航儀晶振污染,節(jié)能降耗,建造美麗家園；依法治理,持續(xù)改進(jìn),凈化一片藍(lán)天”提供了建立和評(píng)審環(huán)境目標(biāo)和指標(biāo)的框架.環(huán)境影響的最小化：遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實(shí)現(xiàn)這一承諾.
愛普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)2520mm振蕩器的目標(biāo)和指標(biāo). 環(huán)境行為評(píng)價(jià)：評(píng)價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).
聯(lián)系人：龔成
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- 貼片石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
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- 愛普生晶振,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振
- 2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品.
晶振廠家
臺(tái)產(chǎn)晶振
日產(chǎn)晶振
歐美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal
- IDTcrystal晶振
- Pletronics晶振
- Statek晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- FOX晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- ILSI晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- QuartzChnik晶振
- SUNTSU晶振
- Transko晶振
- WI2WI晶振
- 韓國三呢晶振
- ACT晶振
- MTI-Milliren晶振
- LiHom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- C-TECH晶振
- KVG晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- Filtronetics晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- ARGO晶振
- Skyworks晶振
- Renesas瑞薩晶振
32.768K
有源晶振
貼片晶振
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