愛普生晶振,聲表面波振蕩器,EG-4121CA晶振,X1M0001810001晶振
頻率:100-700MHZ
尺寸:7.0*5.0mm
愛普生晶振,聲表面波振蕩器,EG-4121CA晶振,X1M0001810001晶振,7050mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).
石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì):石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波。第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單,第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求。
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說(shuō)明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
100-700MHz |
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電源電壓 |
VCC |
2.5-3.3 V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -20℃ to +70℃ |
|||
|
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
X1M0001810001 | EG-4121CA | 212.500000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |
X1M0001810002 | EG-4121CA | 125.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |
X1M0001810003 | EG-4121CA | 148.500000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |
X1M0001810004 | EG-4121CA | 375.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |
X1M0001810005 | EG-4121CA | 200.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |
X1M0001810006 | EG-4121CA | 156.250000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % |
愛普生有源晶體振蕩器產(chǎn)品列表:
石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
(2)陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產(chǎn)品
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)有源晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請(qǐng)不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。
愛普生晶振,聲表面波振蕩器,EG-4121CA晶振,X1M0001810001晶振
精工愛普生晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少?gòu)U棄物等。
EPSON晶振盡可能的采用無(wú)害的原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、SMD晶振溫室氣體及其它污染物。集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用。
根據(jù)需要,提高環(huán)境技術(shù)、7050mm濾波器材料和產(chǎn)品的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動(dòng)的公開性。
愛普生晶振公司的目標(biāo)是保證產(chǎn)品繼續(xù)滿足客戶要求的同時(shí)對(duì)環(huán)境的影響降到最小,在生產(chǎn)過(guò)程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實(shí)現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進(jìn)。
愛普生晶振,聲表面波振蕩器,EG-4121CA晶振,X1M0001810001晶振
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