KDS晶振,壓控晶振,DSV321SR晶振,1XVD051993VB晶振
頻率:13.5-54MHZ
尺寸:3.2*2.5mm
KDS晶振,壓控晶振,DSV321SR晶振,1XVD051993VB晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數(shù)。
項目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
13.5-54MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.8V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -10℃ to +70℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://ellentracy.cn |
H: -30℃ to +85℃ |
|||
|
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±40 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
KDS有源晶振產品列表:
1:抗沖擊
抗沖擊是指VCXO晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。
3:化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
KDS晶振,壓控晶振,DSV321SR晶振,1XVD051993VB晶振
日本大真空株式會社KDS晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產品的開發(fā)。環(huán)境政策,在其業(yè)務活動的所有領域,從開發(fā)、生產和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、3225封裝晶振壓電陶瓷諧振器,大真空集團業(yè)務政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動。
日本大真空株式會社KDS晶振將:
通過適當控制環(huán)境影響的物質,減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán)。通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖。貼片壓控晶振避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產。
KDS晶振,壓控晶振,DSV321SR晶振,1XVD051993VB晶振
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