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京瓷晶振,有源晶振,KT7050晶振

頻率:10-40MHZ

尺寸:7.0*5.0mm

7050mm體積的溫補(bǔ)晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對應(yīng)IC可能) 高度:最高0.8 mm,體積:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.
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        京瓷晶振,有源晶振,KT7050晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
      有源晶振頻率越高一般價(jià)格越高。但頻率越高,頻差越大,從綜合角度考慮,一般工程師會選用頻率低但穩(wěn)定的晶振,自己做倍頻電路??傊?b>有源晶振是根據(jù)需要去選擇合適的頻率,并不是晶振頻率越大就越好。要看具體需求。比如基站中一般用10MHz的恒溫晶振(OCXO),因其有很好的頻率穩(wěn)定性,屬于高端晶振。至于范圍,晶振的頻率做的太高的話,就會失去意義,因?yàn)橛衅渌玫木д耦l率產(chǎn)品代替。

京瓷晶振規(guī)格

單位

晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

10-40MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 ±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://ellentracy.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

7pF

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年


KT7050_7_5 TCXO

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:

鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規(guī)格)

Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。

Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。

例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,貼片晶振IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:

線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)

(2)從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。

(3)振蕩期間測量R的值。

(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。

附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。

如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:

降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL)。

 采用具有較低電阻(RR)的有源晶振。

 使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路。

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問題不能得到解決。系統(tǒng)無法運(yùn)行,因?yàn)榫w沒有足夠的輸出波形振幅。

京瓷晶振,有源晶振,KT7050晶振

        京瓷晶振全體員工都積極地投身環(huán)?;顒?希望能夠在兼顧環(huán)保性和經(jīng)濟(jì)性的同時(shí),實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。希望通過實(shí)踐京瓷哲學(xué),解決CSR課題,并構(gòu)建與利益相關(guān)者相互信賴的關(guān)系,實(shí)現(xiàn)集團(tuán)的可持續(xù)發(fā)展,石英晶體振蕩器同時(shí)為社會的健全發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

    京瓷晶振的各項(xiàng)能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平。實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展。實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo)。

        京瓷晶振集團(tuán)希望銷售的所有進(jìn)口溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品都能為地球環(huán)保做貢獻(xiàn),因此致力于開發(fā)環(huán)境友好型產(chǎn)品。

        通過這些努力,在2015年度,京瓷溫補(bǔ)晶振環(huán)保商品的比例達(dá)到了99%。今后,京瓷晶振集團(tuán)將繼續(xù)開展相關(guān)活動,為提供更多環(huán)境友好型產(chǎn)品而努力。尤其是在節(jié)能、溫室效應(yīng)對策方面,引進(jìn)節(jié)能設(shè)備、安裝太陽能發(fā)電系統(tǒng)、實(shí)施墻面綠化等開展了一系列節(jié)能活動。

京瓷晶振,有源晶振,KT7050晶振


MA - 406晶振,陶瓷面無源晶振,貼片型四腳諧振器
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