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首頁(yè) 微晶晶振

MicroCrystal微晶CC5V-T1A,CC5V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TB-QC時(shí)鐘晶振

MicroCrystal微晶CC5V-T1A,CC5V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TB-QC時(shí)鐘晶振MicroCrystal微晶CC5V-T1A,CC5V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TB-QC時(shí)鐘晶振

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

MicroCrystal微晶CC5V-T1A,CC5V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TB-QC時(shí)鐘晶振瑞士Microcrystal微晶晶振,進(jìn)口晶振,CC5V-T1A是一款小體積晶振尺寸4.1x1.5mm晶振,CC5V-T1A-32.768kHz-9pF-20PPM-TA-QC兩腳貼片晶振,32.768K石英晶振,無(wú)源晶振,貼片晶振,是一個(gè)低頻SMT石英晶體單元,它包含了一個(gè)音叉石英晶體諧振器。在真空下工作,在一個(gè)密封的陶瓷包裝與陶瓷蓋。具有小體積,輕薄型,耐熱及耐環(huán)境特點(diǎn),杰出的密封與金錫預(yù)制件。采用密封性密封來(lái)保證,穩(wěn)定性高,老化程度低??捎糜诟鼣U(kuò)展的工作溫度范圍。高沖擊和抗振動(dòng)能力。100%無(wú)鉛,符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)。應(yīng)用于測(cè)量,工業(yè),汽車,時(shí)鐘晶振,醫(yī)療保健,醫(yī)療植入式,惡劣的環(huán)境。

產(chǎn)品詳情

MicroCrystal微晶CC5V-T1A,CC5V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TB-QC時(shí)鐘晶振,瑞士Microcrystal微晶晶振,進(jìn)口晶振,CC5V-T1A是一款小體積晶振尺寸4.1x1.5mm晶振,CC5V-T1A-32.768kHz-9pF-20PPM-TA-QC兩腳貼片晶振,32.768K石英晶振,無(wú)源晶振,貼片晶振,是一個(gè)低頻SMT石英晶體單元,它包含了一個(gè)音叉石英晶體諧振器。在真空下工作,在一個(gè)密封的陶瓷包裝與陶瓷蓋。具有小體積,輕薄型,耐熱及耐環(huán)境特點(diǎn),杰出的密封與金錫預(yù)制件。采用密封性密封來(lái)保證,穩(wěn)定性高,老化程度低??捎糜诟鼣U(kuò)展的工作溫度范圍。高沖擊和抗振動(dòng)能力。100%無(wú)鉛,符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)。應(yīng)用于測(cè)量,工業(yè),汽車,時(shí)鐘晶振,醫(yī)療保健,醫(yī)療植入式,惡劣的環(huán)境。

MicroCrystal微晶CC5V-T1A,CC5V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TB-QC時(shí)鐘晶振,參數(shù)圖

微晶晶振規(guī)格參數(shù) CC5V-T1A晶振
頻率范圍 32.768KHZ
頻率穩(wěn)定度公差 ±20ppm
工作溫度范圍 –40 to + 85°C
等效串聯(lián)電阻 See ESR Table
負(fù)載電容 12.5 pF
激勵(lì)功率 1μW
老化@ + 25°C ±3 ppm/yr
絕緣電阻(@直流100 v) 500 Ohms@ DC 100V
儲(chǔ)存溫度范圍 –55 to + 125°C

MicroCrystal微晶CC5V-T1A,CC5V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TB-QC時(shí)鐘晶振,尺寸圖

CC5V-T1A 4115

MicroCrystal微晶CC5V-T1A,CC5V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TB-QC時(shí)鐘晶振

石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊:
所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象.
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.
輸出負(fù)載
建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC或GND.MicroCrystal微晶CC5V-T1A,CC5V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TB-QC時(shí)鐘晶振
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的貼片晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作

MicroCrystal微晶CC5V-T1A,CC5V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TB-QC時(shí)鐘晶振

微晶晶振集團(tuán)將確保其壓電石英晶體產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國(guó)家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)?;顒?dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.
瑞士微晶晶振將根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些貼片晶振產(chǎn)品生產(chǎn)活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開(kāi).
微晶晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的32.768K貼片晶振產(chǎn)品生產(chǎn)合作是極其重要的.過(guò)去微晶晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).

品牌 石英晶體晶振 描述 產(chǎn)品類型 頻率
Micro Crystal CC5V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC 晶體32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C Crystals 32.768 kHz
Micro Crystal CC5V-T1A-32.768kHz-9pF-20PPM-TA-QC 晶體32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM -40/+85C Crystals 32.768 kHz
Micro Crystal CC5V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TA-QC 晶體32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM -40/+85C Crystals 32.768 kHz
Micro Crystal CC5V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TB-QC 晶體32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+125C Crystals 32.768 kHz
Micro Crystal CC5V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TB-QC 晶體32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM -40/+125C Crystals 32.768 kHz
Micro Crystal CC5V-T1A-32.768kHz-6pF-20PPM-TA-QC 晶體32.768 kHz 6.0 pF +/-20 PPM -40/+85C Crystals 32.768 kHz
CC5V-T1A.4115


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