NDK晶振,溫補(bǔ)晶振,NT2016SA晶振,NT2016SA-26.000000MHZ-NBG2晶振
頻率:10-52MHZ
尺寸:2.0*1.6mm
NDK晶振,溫補(bǔ)晶振,NT2016SA晶振,NT2016SA-26.000000MHZ-NBG2晶振,小型表面貼片型SMD晶振,適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高的可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對(duì)應(yīng),小型,薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接以及高的溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——2016貼片晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說(shuō)明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
10-52 MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.8 V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -30℃ to +85℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±0.2 × 10-6 |
|
L: ±1.0 × 10-6 |
|||
|
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
10 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
NDK有源貼片晶振編碼列表:
Manufacturer Part Number | Manufacturer | Series | Frequency 頻率 | Voltage - Supply電壓 | Package / Case包裝/封裝 | Size / Dimension 尺寸 | Height - Seated (Max)高度 |
NT2016SA-26.000000MHZ-NBG2 | NDK America, Inc. | NT2016SA | 26MHz | 1.8V | 4-SMD, No Lead | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031" (0.80mm) |
NT2016SA-26.000000MHZ-NBG2 | NDK America, Inc. | NT2016SA | 26MHz | 1.8V | 4-SMD, No Lead | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031" (0.80mm) |
NT2016SA-26.000000MHZ-NBG2 | NDK America, Inc. | NT2016SA | 26MHz | 1.8V | 4-SMD, No Lead | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031" (0.80mm) |
NT2016SA-16.368000 MHZ-NTG1 | NDK America, Inc. | NT2016SA | 16.368MHz | 2.5V | 4-SMD, No Lead | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031" (0.80mm) |
NT2016SA-16.368000 MHZ-NTG1 | NDK America, Inc. | NT2016SA | 16.368MHz | 2.5V | 4-SMD, No Lead | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031" (0.80mm) |
NT2016SA-16.368000 MHZ-NTG1 | NDK America, Inc. | NT2016SA | 16.368MHz | 2.5V | 4-SMD, No Lead | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031" (0.80mm) |
NDK有源晶振產(chǎn)品列表:
1.PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
2.存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存有源晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理有源晶振內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
NDK晶振,溫補(bǔ)晶振,NT2016SA晶振,NT2016SA-26.000000MHZ-NBG2晶振
日本電波工業(yè)株式NDK晶振已經(jīng)建立和正在推動(dòng)一項(xiàng)中期計(jì)劃的具體減排目標(biāo),以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因。它也有助于減少(抑制)CO2排放量,通過(guò)使用最先進(jìn)的技術(shù),實(shí)現(xiàn)最小化,2016貼片晶振以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗,以支持社會(huì)的需要。
日本電波工業(yè)株式NDK晶振的新概念的溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器器件。通過(guò)產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻(xiàn)和環(huán)境績(jī)效的舉措。金屬面四腳有源晶振制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻(xiàn)—通過(guò)制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)—這些是倡議的支柱。
制造業(yè)-環(huán)保生產(chǎn)—我們將介紹一些情況下,發(fā)現(xiàn)CO2排放量的產(chǎn)品生命周期使用環(huán)境LCA方法。
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