TXC晶振,有源晶振,TA晶振,TA-20.000MBD-T晶振
頻率:1-150MHZ
尺寸:7.0*5.0mm
恒溫晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
項(xiàng)目
符號(hào)
規(guī)格說(shuō)明
條件
輸出頻率范圍
f0
1-150 MHz
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電源電壓
VCC
1.8-3.3V
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儲(chǔ)存溫度
T_stg
-55℃ to +125℃
裸存
工作溫度
T_use
G: -40℃ to +85℃
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H: -10℃ to +70℃
頻率穩(wěn)定度
f_tol
J: ±50 × 10-6
L: ±100 × 10-6
T: ±150 × 10-6
功耗
ICC
3.5 mA Max.
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流
I_std
3.3μA Max.
ST=GND
占空比
SYM
45 % to 55 %
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓
VOH
VCC-0.4V Min.
VOL
0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件
L_CMOS
15 pF Max.
輸入電壓
VIH
80% VCC Max.
ST 終端
VIL
20 % VCC Max.
上升/下降時(shí)間
tr / tf
4 ns Max.
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間
t_str
3 ms Max.
t=0 at 90 %
頻率老化
f_aging
±3 × 10-6 / year Max.
+25 ℃, 初年度,第一年
TXC溫補(bǔ)晶振編碼列表:
Manufacturer Part Number原廠代碼
Manufacturer品牌
Series型號(hào)
Part Status
Type 類(lèi)型
Frequency 頻率
Frequency Stability頻率穩(wěn)定度
Operating Temperature 工作溫度
Current - Supply (Max)
Ratings
Mounting Type安裝類(lèi)型
Package / Case包裝/封裝
Size / Dimension 尺寸
Height - Seated (Max)高度
TA-20.000MBD-T
TXC CORPORATION
TA
Active
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
-40°C ~ 85°C
25mA
-
Surface Mount
4-SMD, No Lead
0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
0.039" (1.00mm)
TA-20.000MBD-T
TXC CORPORATION
TA
Discontinued at Digi-Key
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
-40°C ~ 85°C
25mA
-
Surface Mount
4-SMD, No Lead
0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
0.039" (1.00mm)
TA-20.000MBD-T
TXC CORPORATION
TA
Discontinued at Digi-Key
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
-40°C ~ 85°C
25mA
-
Surface Mount
4-SMD, No Lead
0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
0.039" (1.00mm)
TA-22.5792MBD-T
TXC CORPORATION
TA
Active
MEMS (Silicon)
22.5792MHz
±25ppm
-40°C ~ 85°C
25mA
-
Surface Mount
4-SMD, No Lead
0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
0.039" (1.00mm)
TA-22.5792MBD-T
TXC CORPORATION
TA
Discontinued at Digi-Key
MEMS (Silicon)
22.5792MHz
±25ppm
-40°C ~ 85°C
25mA
-
Surface Mount
4-SMD, No Lead
0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
0.039" (1.00mm)
TA-22.5792MBD-T
TXC CORPORATION
TA
Discontinued at Digi-Key
MEMS (Silicon)
22.5792MHz
±25ppm
-40°C ~ 85°C
25mA
-
Surface Mount
4-SMD, No Lead
0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
0.039" (1.00mm)
TXC壓控晶振產(chǎn)品列表:
石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類(lèi)型的注意事項(xiàng)
(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開(kāi)裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
(2)陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產(chǎn)品
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開(kāi)裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)有源晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請(qǐng)不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。
TXC晶振,有源晶振,TA晶振
TXC晶振加強(qiáng)污染防治,減少現(xiàn)有的污染廢棄物以及在未來(lái)生產(chǎn)制造中所產(chǎn)生的污染。為確保安全、提高保護(hù)預(yù)防措施、產(chǎn)品的可靠性以及職業(yè)安全,確保職業(yè)健康與環(huán)境的優(yōu)越性,高氣密性封裝貼片晶振通過(guò)正式的管理評(píng)審和對(duì)健康、安全和環(huán)境實(shí)施效果的持續(xù)改進(jìn),保護(hù)人群及財(cái)產(chǎn)與環(huán)境。
以最小化使用危險(xiǎn)材料、能源和其它資源為目的進(jìn)行公司產(chǎn)品及服務(wù)的安全生產(chǎn)和使用,并確保回收利用。以防治污染、保存資源的方式進(jìn)行商務(wù)運(yùn)作,并積極地對(duì)以往的環(huán)境破壞進(jìn)行揭露。有源晶體振蕩器持續(xù)改進(jìn),將環(huán)境管理與商務(wù)運(yùn)行和決策過(guò)程高度集成,規(guī)范其行為。不斷進(jìn)行持續(xù)改進(jìn)的實(shí)踐。
TXC晶振,有源晶振,TA晶振
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晶振廠家
臺(tái)產(chǎn)晶振
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32.768K
有源晶振
貼片晶振
應(yīng)用領(lǐng)域
電話:86-0755-27876236
手機(jī):135-9019-8504
QQ:769468702
地址:中國(guó)廣東深圳市寶安區(qū)沙井街道上星咸夫大廈F座2號(hào)903