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愛普生晶振,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振

頻率:1~75MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品.
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EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是數(shù)碼映像領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè).愛普生集團(tuán)通過富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價(jià)值,致力于為客戶提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術(shù)和解決方案.愛普生拓優(yōu)科夢是一家專業(yè)從事晶體元件的廠商,愛普生拓優(yōu)科夢(Epson — yocom)運(yùn)用長年積累的培育人工貼片晶振以及以加工為代表的、實(shí)現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術(shù),提出“3D戰(zhàn)略”究極應(yīng)用石英特性而制造的三大元器件:定時(shí)元器件、傳感元器件、光學(xué)元器件,并創(chuàng)出將其復(fù)合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進(jìn)至今.

愛普生晶振,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊盤(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設(shè)計(jì)及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄,貼片晶振晶片的頻率越來越高,為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),提升了晶振廠家的競爭力,使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國內(nèi)其它公司。

型號

符號

參數(shù)

輸出規(guī)格

-

CMOS

輸出頻率范圍

fo

1~75MHZ

電源電壓

VCC

1.6~3.6V

頻率公差
(含常溫偏差)

f_tol

±50×10-6 max., ±100×10-6 max.

保存溫度范圍

T_stg

-40-+85

運(yùn)行溫度范圍

T_use

-10-+70 ,-40-+85

消耗電流

ICC

20mA max.

待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L"

I_std

10μA max.

輸出負(fù)載

Load-R

100Ω (Output-OutputN)

波形對稱

SYM

45-55% [at outputs cross point]

0電平電壓

VOL

-

1電平電壓

VOH

-

上升時(shí)間 下降時(shí)間

tr, tf

0.4ns max. [20-80% Output-OutputN]

差分輸出電壓

VOD1, VOD2

0.247-0.454V

差分輸出誤差

VOD

50mV [VOD=VOD1VOD2]

補(bǔ)償電壓

VOS

1.125-1.375V

補(bǔ)償電壓誤差

VOS

50mV

交叉點(diǎn)電壓

Vcr

-

OE端子0電平輸入電壓

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1電平輸入電壓

VIH

VCC×0.7 min.

輸出禁用時(shí)間

tPLZ

200ns

輸出使能時(shí)間

tPZL

2ms

周期抖動(dòng)(1

tRMS

5ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 22ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (Peak to peak)

總抖動(dòng)(1

tTL

50ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 35ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12(2)]

相位抖動(dòng)

tpj

1.5ps max. (13.5MHzfo<27MHz) / 1ps max. (27MHzfo<212.5MHz) 
[13.5MHzfo<40MHz,fo offset:12kHz-5MHz fo40MHz,fo offset:12kHz-20MHz]

愛普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器號列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
SG-210SEH 145.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SEH 150.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SEH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SEH 98.304000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210STF 33.300000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 2.2 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG-210STF 1.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG-210STF 1.843200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG-210STF 2.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG-210STF 3.686400 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
愛普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器編碼列表:

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
X1G0039510010 SG-210SEH 145.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039510011 SG-210SEH 150.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039510013 SG-210SEH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039510014 SG-210SEH 98.304000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0041710002 SG-210STF 33.300000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 2.2 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0041710005 SG-210STF 1.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0041710006 SG-210STF 1.843200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0041710007 SG-210STF 2.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0041710008 SG-210STF 3.686400 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %

SG-210STF 2520 CMOS

有源貼片晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。愛普生晶振,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振

存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響2520晶振頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。

耐焊性:將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至石英進(jìn)口晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。

我們的活動(dòng)、產(chǎn)品和服務(wù)首先要遵守和符合有關(guān)環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產(chǎn)中所使用的有毒有害物質(zhì)的替代,本著污染預(yù)防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器,低消耗晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會(huì)形象.愛普生晶振,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振

愛普生晶振環(huán)境影響的最小化:遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少薄型高精度SMD晶振形式的廢物來實(shí)現(xiàn)這一承諾.愛普生晶振環(huán)境管理體系:在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo). 

環(huán)境行為評價(jià):評價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).加強(qiáng)環(huán)境意識(shí)教育,提高小型石英晶振環(huán)境意識(shí),充分調(diào)動(dòng)職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO),,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響. 

MA - 406晶振,陶瓷面無源晶振,貼片型四腳諧振器
深圳市兆現(xiàn)電子有限公司
聯(lián)系人:龔成  
電話:0755--27876236
QQ:769468702
手機(jī):13590198504
郵箱:zhaoxiandz@163.com
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貼片石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
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有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊盤(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
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小型貼片石英晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),貼片高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
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