愛(ài)普生晶振,SPXO晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振
頻率:80-170MHZ
尺寸:7.0*5.0mm
有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要..

愛(ài)普生晶振,SPXO晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高的溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高的溫回流溫度曲線要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):普通石英晶體振蕩器是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說(shuō)明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
80-170MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.6-3.6V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -20℃ to +70℃ |
|||
|
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±25× 10-6 |
|
L: ±30× 10-6 |
|||
T: ±50× 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
Product Number![]() |
Model![]() |
Frequency![]() |
LxWxH![]() |
Output Wave![]() |
Ope Temperature![]() ![]() |
Freq. Tol.![]() |
I [Max]![]() |
25°C Aging![]() |
Aging2![]() |
Symmetry![]() |
X1G0045010001 | SG7050CCN | 4.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
X1G0045010003 | SG7050CCN | 16.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
X1G0045010004 | SG7050CCN | 48.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
X1G0045010005 | SG7050CCN | 11.059200 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
X1G0045010006 | SG7050CCN | 20.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
X1G0045010007 | SG7050CCN | 50.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
X1G0045010008 | SG7050CCN | 25.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
X1G0045010009 | SG7050CCN | 33.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
X1G0045010010 | SG7050CCN | 40.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
X1G0045010011 | SG7050CCN | 44.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % |

愛(ài)普生有源晶體振蕩器產(chǎn)品列表:
(1)線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。
(3)振蕩期間測(cè)量R的值。
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。
附:所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測(cè)定值。
如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過(guò)低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他貼片晶振具有較低負(fù)載電容(CL)。
采用具有較低電阻(RR)的石英晶振。
使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。
當(dāng)有信號(hào)輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動(dòng)后端電路。
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請(qǐng)聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問(wèn)題不能得到解決。系統(tǒng)無(wú)法運(yùn)行,因?yàn)榫w沒(méi)有足夠的輸出波形振幅。
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愛(ài)普生晶振環(huán)?;纠砟睿?/span>
1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境。遵守國(guó)內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī)。
2.保護(hù)自然環(huán)境,7050石英振子充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性。
3.有效利用資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用。
4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),貼片晶體振蕩器致力于減少?gòu)U棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)。
5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn)。
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普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).金屬面石英晶振本身具有高的穩(wěn)定性,高的可靠性的石英晶體振蕩器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高的可靠性,采用編帶包裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無(wú)鉛焊接的高的溫回流溫度曲線要求.
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貼片石英晶振適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體振蕩器.也可對(duì)應(yīng)有高的可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡(jiǎn)稱為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,有源貼片石英晶體本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
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智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高的精度小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高的端的數(shù)碼產(chǎn)品,差分有源晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高的溫回流溫度曲線要求.
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