愛普生晶振,聲表面波振蕩器,EG-2102CB晶振,X1M0002010001晶振
頻率:100-700MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
愛普生晶振,聲表面波振蕩器,EG-2102CB晶振,X1M0002010001晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對貼片晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。
項(xiàng)目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
100-700MHz |
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電源電壓 |
VCC |
2.5-3.3 V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -0℃ to +70℃ |
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H: -20℃ to +70℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
X1M0002010001 | EG-2102CB | 133.330000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.40 mm | LV-PECL | 0 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 60.0 mA | +/-10ppm | 45 to 55 % | |
X1M0002010002 | EG-2102CB | 150.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.40 mm | LV-PECL | 0 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 60.0 mA | +/-10ppm | 45 to 55 % | |
X1M0002010003 | EG-2102CB | 133.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.40 mm | LV-PECL | 0 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 60.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |
X1M0002010004 | EG-2102CB | 156.250000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.40 mm | LV-PECL | 0 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 60.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |
X1M0002010005 | EG-2102CB | 212.500000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.40 mm | LV-PECL | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 60.0 mA | +/-10ppm | 45 to 55 % | |
X1M0002010006 | EG-2102CB | 644.531300 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.40 mm | LV-PECL | 0 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 60.0 mA | +/-10ppm | 45 to 55 % | |
X1M0002010007 | EG-2102CB | 625.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.40 mm | LV-PECL | -5 to 85 °C | +/-100 ppm | ≤ 60.0 mA | +/-10ppm | 45 to 55 % | |
X1M0002010008 | EG-2102CB | 100.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.40 mm | LV-PECL | -5 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 60.0 mA | +/-10ppm | 45 to 55 % | |
X1M0002010009 | EG-2102CB | 150.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.40 mm | LV-PECL | 0 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 60.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % |
愛普生有源晶體振蕩器產(chǎn)品列表:
1:抗沖擊
抗沖擊是指進(jìn)口晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。
愛普生晶振,聲表面波振蕩器,EG-2102CB晶振,X1M0002010001晶振
愛普生株式會社EPSON晶振通過追求以QMEMS 技術(shù)為核心的“省、小、精”技術(shù),來推動具有領(lǐng)先性的環(huán)?;顒?把降低 環(huán)境負(fù)荷作為一種顧客價值提供給顧客。
創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,EPSON晶振,溫補(bǔ)晶振晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品;并且構(gòu)筑和革新既可以降低 環(huán)境負(fù)荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動。
愛普生株式會社EPSON晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項(xiàng),也根據(jù)需要自主性的制定基準(zhǔn),金屬殼聲表濾波器通過持續(xù)性的展開環(huán)保活動來預(yù)防污染。
在設(shè)定環(huán)保目的與目標(biāo)展開活動的同時,定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)保活動的水平。
愛普生晶振,聲表面波振蕩器,EG-2102CB晶振,X1M0002010001晶振
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