精工愛(ài)普生株式會(huì)社(總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡(jiǎn)稱為“愛(ài)普生”)在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國(guó)區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛(ài)普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到中國(guó)蘇州愛(ài)普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.因?yàn)橹悄苁謾C(jī),以及GPS衛(wèi)星導(dǎo)航的普及,有源晶振得到迅速的發(fā)展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產(chǎn)品型號(hào),愛(ài)普生料號(hào)等.
愛(ài)普生晶振,有源晶振,SG-8503CA晶振,X1G0050110000晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性壓電晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
型號(hào) |
符號(hào) |
參數(shù) |
輸出規(guī)格 |
- |
LV-PECL |
輸出頻率范圍 |
fo |
50~80MHZ |
電源電壓 |
VCC |
0.125~3.3V |
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max. |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃,-40-+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA max. |
輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形對(duì)稱 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
- |
1電平電壓 |
VOH |
- |
上升時(shí)間 下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(dòng)(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(dòng)(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
相位抖動(dòng) |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
愛(ài)普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器型號(hào)列表:
愛(ài)普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG2016CAN
27.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
40.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
25.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-25 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
38.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-8503CA
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG-8503CA
156.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG-8503CA
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG-8503CA
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0048010021
SG2016CAN
27.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0048010022
SG2016CAN
40.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0048010024
SG2016CAN
25.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-25 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0048010025
SG2016CAN
38.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0050110000
SG-8503CA
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
X1G0050110003
SG-8503CA
156.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
X1G0050110004
SG-8503CA
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
X1G0050110005
SG-8503CA
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>進(jìn)口石英晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。愛(ài)普生晶振,有源晶振,SG-8503CA晶振,X1G0050110000晶振
晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來(lái)滿足它的規(guī)格要求。通過(guò)嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的貼片有源晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安 裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)石英振蕩器產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
愛(ài)普生晶振環(huán)境管理體系:在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)低消耗晶振的目標(biāo)和指標(biāo). 環(huán)境行為評(píng)價(jià):評(píng)價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績(jī).我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).愛(ài)普生晶振,有源晶振,SG-8503CA晶振,X1G0050110000晶振
加強(qiáng)環(huán)境意識(shí)教育,提高全員環(huán)境意識(shí),充分調(diào)動(dòng)職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO),7050有源貼片晶振,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過(guò)程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響. 我們的活動(dòng)、產(chǎn)品和服務(wù)首先要遵守和符合有關(guān)環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產(chǎn)中所使用的有毒有害物質(zhì)的替代,本著污染預(yù)防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器, 晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會(huì)形象.
愛(ài)普生晶振集團(tuán)不斷改進(jìn)設(shè)計(jì),優(yōu)化工藝,調(diào)整工廠布局,采取相應(yīng)措施,減少各種污染環(huán)境的因素,盡可能地節(jié)省資源和能源,積極保護(hù)廠區(qū)和周圍地區(qū)的環(huán)境,在本公司石英晶振,有源貼片晶振,壓電石英晶體、有源晶體的生產(chǎn)與經(jīng)營(yíng)過(guò)程中充分考慮對(duì)環(huán)境的影響,為人類的健康生存和持續(xù)發(fā)展作出貢獻(xiàn).
聯(lián)系人:龔成
QQ:769468702
手機(jī):13590198504
郵箱:zhaoxiandz@163.com
網(wǎng)站:http://ellentracy.cn