當(dāng)需要標(biāo)準(zhǔn)XO（晶體振蕩器）或VCXO（壓控晶體振蕩器）無法達(dá)到的溫度穩(wěn)定性時(shí)，TCXO晶振就成了最好的選擇。

溫度穩(wěn)定性是石英晶體振蕩器頻率隨溫度變化的量度，并且以兩種方式定義。一種常見的方法是使用“加/減”規(guī)格（例如：±0.28 ppm對(duì)比工作溫度范圍，參考25°C 溫度范圍通常為-40至85°C或-20至70°C).該規(guī)范告訴我們，如果我們將25°C的頻率設(shè)為標(biāo)稱值，那么設(shè)備頻率偏離或高于標(biāo)稱頻率不超過0.28ppm。這與指定溫度穩(wěn)定性的第二種方式不同，即使用峰峰值或僅使用沒有參考點(diǎn)的正/負(fù)值。在第二種情況下，我們不能說我們知道上面或下面有多遠(yuǎn)標(biāo)稱頻率將改變-只是我們知道總的范圍是什么。通常，使用來自定義的參考點(diǎn)的正負(fù)值來指定設(shè)備。

TCXO晶振對(duì)工程師非常有用，因?yàn)樗鼈兛梢栽诒入娐钒迳暇哂邢嗤暮驼加每臻g的標(biāo)準(zhǔn)VCXO晶振更好的溫度穩(wěn)定性的10倍到40倍之間使用。 TCXO彌合了標(biāo)準(zhǔn)XO或VCXO與OCXO之間的差距，這些差距更高，需要更多功率才能運(yùn)行。推動(dòng)技術(shù)的目的是降低功耗降低成本，因此TCXO為功耗和成本敏感的應(yīng)用提供了良好的中檔解決方案。

上圖是不同振蕩器類型的典型溫度穩(wěn)定性的示意圖，范圍從標(biāo)準(zhǔn)VCXO的50ppm到高性能OCXO的0.2ppb。軸反轉(zhuǎn)使得曲線在增加溫度穩(wěn)定性的方向上增長(zhǎng)。TCXO穩(wěn)定性范圍涵蓋VCXO和OCXO晶振之間的中間位置（在某些情況下，重疊某些OCXO晶振性能）。

TCXO溫度穩(wěn)定性水平（從5ppm到50ppb）通常是必要的，因?yàn)?/span>溫補(bǔ)貼片晶振將獨(dú)立工作，無論是在沒有外部頻率參考的系統(tǒng)中的自由運(yùn)行模式，還是作為固定頻率參考一個(gè)合成器，TCXO在開環(huán)運(yùn)行，驅(qū)動(dòng)一個(gè)DDS（直接數(shù)字合成）以及DDS而非TCXO被“鎖定”到外部參考的位置。

后一種情況（TCXO是開環(huán)，頻率在DDS設(shè)置）正變得越來越普遍，因?yàn)樵O(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)使用DDS解決方案可以通過使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器控制TCXO來實(shí)現(xiàn)更好的頻率分辨率。由于轉(zhuǎn)向是在DDS而不是振蕩器中完成的，因此設(shè)計(jì)人員需要能夠?qū)潭ɑ鶞?zhǔn)的頻率如何隨溫度變化做出某些假設(shè)，以便他們可以相應(yīng)地規(guī)劃鎖相環(huán)的設(shè)計(jì)。由于靈活性，它們?cè)试STCXO用于許多頻率控制應(yīng)用，但一個(gè)重要領(lǐng)域是小型蜂窩基站（毫微微，微型和微微），通常它們被用作定時(shí)分配芯片的固定頻率源.