愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振
頻率：2-60MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
石英晶振的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。
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項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
2-60MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.8-3.3 V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
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待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
Product Number
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Model
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Frequency
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LxWxH
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Output Wave
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Ope Temperature 
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Freq. Tol.
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I [Max]
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25°C Aging
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Aging2
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Symmetry
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| X1G004601A002 | SG-210SDBA | 20.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
| X1G004601A003 | SG-210SDBA | 25.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
| X1G004601A004 | SG-210SDBA | 16.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
| X1G004601A005 | SG-210SDBA | 16.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
| X1G004601A006 | SG-210SDBA | 32.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
| X1G004601A007 | SG-210SDBA | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
| X1G004601A008 | SG-210SDBA | 12.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
| X1G004601A009 | SG-210SDBA | 24.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % |
愛普生有源晶體振蕩器產(chǎn)品列表:
（1）線路連接的電阻（R）與石英晶體串聯(lián)
（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。
（3）振蕩期間測量R的值。
（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。
附：所連接的電路的雜散電容，可能會(huì)影響測定值。
如果有源晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：
降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他石英晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。
采用具有較低電阻（RR）的晶振。
使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。
當(dāng)有信號(hào)輸出從XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間，以驅(qū)動(dòng)后端電路。
但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請(qǐng)聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助，如果你的問題不能得到解決。系統(tǒng)無法運(yùn)行，因?yàn)榫w沒有足夠的輸出波形振幅。
愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振
愛普生晶振公司集團(tuán)作為“地球內(nèi)企業(yè)”，在保護(hù)地球環(huán)境方面發(fā)揮著領(lǐng)導(dǎo)作用。我們尊重歷史、文化和傳統(tǒng)的多樣性，進(jìn)口石英振蕩器并致力于“CSR經(jīng)營”和“環(huán)境經(jīng)營”。為取得社會(huì)的信任，為推動(dòng)環(huán)境負(fù)荷最小化，愛普生晶振集團(tuán)還開展了各種各樣的活動(dòng)。
愛普生晶振集團(tuán)在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個(gè)產(chǎn)品生命周期中，努力創(chuàng)造豐富的價(jià)值，高品質(zhì)晶振給社會(huì)帶來溫馨和安寧，感動(dòng)和驚喜，同時(shí)為減少環(huán)境影響，努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對(duì)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理”，實(shí)現(xiàn)與地球的和諧相處。
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有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,日產(chǎn)晶振產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊盤（無鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
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晶振廠家
臺(tái)產(chǎn)晶振
日產(chǎn)晶振
歐美晶振
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