京瓷晶振,貼片晶振,CX8045GA晶振
頻率:4000-8000KHz
尺寸:8.0*4.5mm
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使32.768K晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。
京瓷晶振規(guī)格 |
單位 |
晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
4000-8000KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
1.操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
2.使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
晶振/石英晶體諧振器
激勵功率
在晶振上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?。
負(fù)極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加。
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容。
京瓷晶振,貼片晶振,CX8045GA晶振京瓷晶振的CSR活動基于以"作為人何謂正確"為判斷基準(zhǔn)的"京瓷哲學(xué)"。希望通過實(shí)踐京瓷哲學(xué),解決CSR課題,并構(gòu)建與利益相關(guān)者相互信賴的關(guān)系,實(shí)現(xiàn)集團(tuán)的可持續(xù)發(fā)展,無源8045貼片晶振同時為社會的健全發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
京瓷晶振將“防止全球變暖、節(jié)能性”、“資源循環(huán)性”、“環(huán)保、產(chǎn)品安全性”這3個主題視為最重要的課題,在產(chǎn)品開發(fā)階段就明確地設(shè)定了相應(yīng)的環(huán)保理念。
京瓷晶振集團(tuán)希望銷售的所有8045貼片晶振產(chǎn)品都能為地球環(huán)保做貢獻(xiàn),因此致力于開發(fā)環(huán)境友好型產(chǎn)品。為進(jìn)行環(huán)境友好型產(chǎn)品的設(shè)計,京瓷晶振明確了“環(huán)境友好理念”。將對于防止全球變暖、節(jié)能、節(jié)省資源、削減有害物質(zhì)做出積極貢獻(xiàn)的產(chǎn)品定為“環(huán)保商品”,并針對所有產(chǎn)品設(shè)定了以環(huán)境友好理念為基礎(chǔ)的評價基準(zhǔn)。
通過這些努力,在2015年度,日本京瓷晶振環(huán)保商品的比例達(dá)到了99%。今后,京瓷晶振集團(tuán)將繼續(xù)開展相關(guān)活動,為提供更多環(huán)境友好型產(chǎn)品而努力。
京瓷晶振,貼片晶振,CX8045GA晶振
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