VG-4231CE壓控晶振Q3614CE00008000非常適用于無線通訊設(shè)備應(yīng)用
隨著現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)向高頻化,寬帶化,便攜化方向發(fā)展,要求壓控晶振頻率高,頻率范圍寬,線性度好,頻率穩(wěn)定性好,頻率牽引誤差小,噪聲低,封裝尺寸小等特點。愛普生晶振公司推出的VG-4231CE壓控晶振,小體積尺寸3.2x2.5mm四腳貼片晶振,有源晶振,該產(chǎn)品具有頻率范圍寬快速響應(yīng),低消耗電流,封裝尺寸小等特性,非常適用于無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,工業(yè)電子,汽車電子,消費電子,通信設(shè)備領(lǐng)域,該產(chǎn)品電源電壓最大分別為3.3V±0.3V,3.3V±0.165V和5.0V±0.5V,它們都為低電流消耗類型,該系列在無負載情況下消耗電流最小僅為1.2mA。
VG-4231CE壓控晶振Q3614CE00008000非常適用于無線通訊設(shè)備應(yīng)用
晶振資料 | 型號 | 頻率 | 尺寸 | 輸出波 | 電源電壓 |
Q3614CE00000600 | VG-4231CE | 27.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 1.600 to 2.000V |
Q3614CE00001100 | VG-4231CE | 27.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00001200 | VG-4231CE | 27.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00001300 | VG-4231CE | 24.576000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 1.600 to 2.000V |
Q3614CE00002300 | VG-4231CE | 24.576000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00002400 | VG-4231CE | 16.384000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00002700 | VG-4231CE | 17.734475MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00002900 | VG-4231CE | 24.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00003100 | VG-4231CE | 36.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00004100 | VG-4231CE | 25.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00004300 | VG-4231CE | 32.768000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 2.600 to 3.000V |
Q3614CE00004400 | VG-4231CE | 25.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00004600 | VG-4231CE | 12.288000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00006000 | VG-4231CE | 11.289600MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00006100 | VG-4231CE | 32.768000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00006200 | VG-4231CE | 24.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00006600 | VG-4231CE | 28.636360MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 1.600 to 2.000V |
Q3614CE00007100 | VG-4231CE | 32.768000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00007200 | VG-4231CE | 12.288000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00008000 | VG-4231CE | 16.777216MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00008100 | VG-4231CE | 12.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00008200 | VG-4231CE | 24.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 1.600 to 2.000V |
Q3614CE00008300 | VG-4231CE | 25.165800MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 1.600 to 2.000V |
Q3614CE00009400 | VG-4231CE | 9.600000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 2.600 to 3.000V |
Q3614CE00009500 | VG-4231CE | 32.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00009700 | VG-4231CE | 25.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 1.600 to 2.000V |
Q3614CE00009800 | VG-4231CE | 13.560000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
Q3614CE00009900 | VG-4231CE | 12.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
晶體振蕩器作為一種高穩(wěn)定頻率源,廣泛應(yīng)用于各種儀器設(shè)備中。其中,壓控晶體振蕩器(VCXO)因其頻率可調(diào)而成為各種接收機和轉(zhuǎn)發(fā)器中不可或缺的關(guān)鍵部件。在這些器件中,為了補償晶體振蕩器的長期老化、發(fā)射和接收信號之間的多普勒頻移等因素,通常要求壓控晶振具有較寬的電壓控制范圍;而且為了適應(yīng)野外和空間的工作環(huán)境,還要求在較寬的溫度范圍內(nèi)具有良好的頻率和溫度穩(wěn)定性。
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