X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON馬斯克和賈躍亭電動汽車造車夢想
X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON馬斯克和賈躍亭電動汽車造車夢想
馬斯克訪華
1小時(shí)前新
外交部回應(yīng)馬斯克訪華與中國多部委官員見面
今天 12:34
工業(yè)和信息化部部長金壯龍會見特斯拉公司首席執(zhí)行官馬斯克
今天 10:45
馬斯克訪華后特斯拉股價(jià)收漲超4%,約合近1800億人民幣
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網(wǎng)傳馬斯克與與全球動力電池龍頭寧德時(shí)代董事長曾毓群會面
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馬斯克到北京第一天吃了啥:16道菜沒烤鴨、菜單含“馬”量極高
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馬斯克訪華行程曝光 首站北京蟹島
昨天 18:18愛普生晶振
馬斯克:特斯拉公司反對“脫鉤斷鏈”,愿繼續(xù)拓展在華業(yè)務(wù)
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秦剛會見特斯拉首席執(zhí)行官馬斯克
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外媒:馬斯克私人飛機(jī)降落北京
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外交部回應(yīng):歡迎,樂見外資企業(yè)在華投資興業(yè)
5月29日 21:43
外媒:消息人士稱,預(yù)計(jì)馬斯克本周訪問中國X1G0051810304晶振,SG-8101CG編程晶振,汽車耐高溫晶振X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON
賈躍亭FF 91交付
今天 13:56新
理想汽車?yán)钕氚l(fā)文稱贊FF91,賈躍亭發(fā)文感謝
賈躍亭:感謝李想的支持。作為智能電車時(shí)代的拓荒者,很榮幸FF點(diǎn)燃了很多人的夢想。智能電車產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了新的階段,傳統(tǒng)塔尖頂奢市場的上古玩家們都太老了,用戶在呼喚具有極智科技頂奢能力的顛覆者。塔尖變革之路維艱,FF一直在努力,也期待李總有時(shí)間來FF洛杉磯總部交流指導(dǎo)
今天 11:00
法拉第未來宣布新車售價(jià)為30.9萬美元
今天 08:13
賈躍亭發(fā)布試駕FF91視頻:終于快到了交付的時(shí)刻
4月15日 16:59
賈躍亭:九年不屈,FF 91已經(jīng)不是大家想象中的FF 91了
4月14日 14:01
FF91于4月15日正式下線,一階段交付時(shí)間延至5月底
4月14日 12:38日本進(jìn)口晶振
賈躍亭FF91交付時(shí)間又“跳票”!用戶:還有未來嗎?
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FF達(dá)成1.35億融資 籌集FF91Futurist量產(chǎn)資金
2022年12月16日
FF 91 Futurist開始量產(chǎn),預(yù)計(jì)明年4月下線交付
2022年11月23日
FF第三季度減虧 宣布完成生產(chǎn)制造第六個(gè)里程碑
2022年8月30日
FF稱量產(chǎn)所需設(shè)備已就位,計(jì)劃今年第四季度開始量產(chǎn)
2022年8月3日
FF公司:確保FF 91在2022年第三或第四季度實(shí)現(xiàn)交付
2022年2月17日
法拉第未來官宣:FF 91量產(chǎn)版2月23日正式發(fā)布
2021年7月22日
FF今日上市,賈躍亭這次能圓造車夢嗎?X1G0051810304晶振,SG-8101CG編程晶振,汽車耐高溫晶振X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON
特征
晶體振蕩器(可編程)
輸出頻率:0.67 MHz 至 170 MHz(1 × 10-6 步進(jìn))
輸出:CMOS
電源電壓:1.62 V 至 3.63 V
頻率公差、工作溫度:
±15 × 10-6 / -40 °C 至 +85 °C
±20 × 10-6, ±50 × 10-6 / -40 °C 至 +105 °C
描述 愛普生的SG-8101系列是具有CMOS輸出的可編程晶體振蕩器系列。
雖然該系列提供了與之前同類產(chǎn)品相同的頻率和其他參數(shù)的簡單可編程性
SG-8002/SG-8003系列,車載級晶振它們還具有更寬的工作溫度范圍,頂端極限為105 °C。 除了使電子制造商能夠節(jié)省電路板空間的 2.5 × 2.0 mm 封裝外,振蕩器還將提供以下常用封裝尺寸:3.2 × 2.5 mm、5.0 × 3.2 mm 和 7.0 × 5.0 mm。SG-8101系列振蕩器的頻率容差比同類產(chǎn)品高約66%,電流消耗降低約50%,可在各種環(huán)境條件下使用。這也將顯著提高性能、降低功耗要求、縮短開發(fā)周期和小批量生產(chǎn)。X1G0051810304晶振,SG-8101CG編程晶振,汽車耐高溫晶振X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON
項(xiàng)目 |
象征 |
規(guī)格 |
條件/備注 |
||||||||||
電源電壓 |
VCC |
1.80 V 典型值 |
2.50 V 典型值 |
3.30 V 典型值 |
- |
||||||||
1.62 V 至 1.98 V |
1.98 V 至 2.20 V |
2.20 V 至 2.80 V |
2.70 V 至 3.63 V |
||||||||||
輸出頻率范圍 |
fO |
|
|||||||||||
儲存溫度 |
T_stg |
-40 °C 至 +125 °C |
作為單個(gè)產(chǎn)品存儲。 |
||||||||||
工作溫度 |
T_use |
-40 °C 至 +85 °C |
- |
||||||||||
-40 °C 至 +105 °C |
|
||||||||||||
頻率公差*1 |
f_tol |
乙: ±15 × 10-6 |
T_use = -40 ºC 至 +85 °C |
||||||||||
C: ±20 × 10-6 |
T_use = -40 ºC 至 +105 °C |
||||||||||||
J: ±50 × 10-6 |
T_use = -40 ºC 至 +105 °C |
||||||||||||
電流消耗 |
ICC |
最大 3.2 mA |
最大 3.3 mA |
最大 3.4 mA |
最大 3.5 mA |
T_use = +105 °C |
空載,fO = 20 MHz |
||||||
典型值 2.7 mA |
2.9 mA 典型值 |
3.0 mA 典型值 |
T_use = +25 °C |
||||||||||
最大 5.5 mA |
最大 5.8 mA |
最大 6.7 mA |
最大 8.1 mA |
T_use = +105 °C |
空載,fO = 170 MHz |
||||||||
|
|
|
|
||||||||||
|
|
4.7 mA 典型值 |
5.7 mA 典型值 |
6.8 mA 典型值 |
T_use = +25 °C |
|
|||||||
輸出禁用電流 |
I_dis |
最大 3.2 mA |
最大 3.2 mA |
最大 3.3 mA |
最大 3.5 mA |
OE = GND, fO = 170 |
MHZ |
||||||
待機(jī)電流 |
I_std |
最大 0.9 μA |
最大 1.0 μA |
最大 1.5 μA |
最大 2.5 μA |
T_use = +105 °C |
ST ? ? = GND |
||||||
0.3 μA 典型值 |
0.4 μA 典型值 |
0.5 μA 典型值 |
典型值 1.1 μA |
T_use = +25 °C |
|||||||||
對稱 |
西姆 |
45 % 至 55 % |
50 %V CC 電平 |
|
|||||||||
輸出電壓 (直流特性) |
VOH |
90 %V CC 最小值 |
|
[毫安] |
|||||||||
上升/下降時(shí)間 |
VCC |
*一個(gè) |
*乙 |
*C |
*D |
V, V |
|||||||
默認(rèn) (fO > 40 MHz), |
|
-2.5 |
-3.5 |
-4.0 |
-5.0 |
||||||||
一、 |
2.5 |
3.5 |
4.0 |
5.0 |
|||||||||
默認(rèn)值 (fO ≤ 40 MHz) |
|
-1.5 |
-2.0 |
-2.5 |
-3.0 |
||||||||
VOL |
最大 10 %V CC |
一、 |
1.5 |
2.0 |
2.5 |
3.0 |
|||||||
*:1.62 *C: 2.20 |
|
-1.0 |
-1.5 |
-2.0 |
-2.5 |
||||||||
IOL 1.0 1.5 2.0 2.5 V 至 1.98 V, *B: 1.98 V 至 2.20 V 至 2.80 V,*D:2.70 V 至 3.63 |
|||||||||||||
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
最大 15 pF |
- |
||||||||||
輸入電壓 |
五IH |
最小 70 %V CC |
OE 或 ST ? ? |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
VIL |
最大 30 %V CC |
|
||||||||||
上升時(shí)間/下降時(shí)間 |
違約 |
TR/TF |
最大 3.0 ns |
fO > 40MHZ |
20 % - 80 % VCC, L_CMOS = 15 pF |
||||||||
最大 6.0 ns |
fO ≤ 40MHZ |
||||||||||||
快 |
最大 3.0 ns |
fO = 0.67MHZ至170MHZ |
|||||||||||
慢 |
最大 10.0 ns |
fO = 0.67MHZ至20MHZ |
|||||||||||
輸出禁用時(shí)間 (OE) 輸出禁用時(shí)間 (ST) |
tstp_oe tstp_st |
最大 1 μs |
從 OE 或 ST ? ? 引叉 30 % 的時(shí)間開始測量 VCC |
||||||||||
輸出使能時(shí)間 (OE) |
tsta_oe |
最大 1 μs |
從 OE 引腳穿過 70 % VCC 的時(shí)間開始測量 |
||||||||||
輸出使能時(shí)間 (ST) |
tsta_st |
最大 3 毫秒 |
從 ST ? ? 引叉 70 % VCC 的時(shí)間開始測量 |
||||||||||
啟動時(shí)間 |
t_str |
最大 3 毫秒 |
從 VCC 達(dá)到其額定最小值 1.62 V 時(shí)開始測量 |
||||||||||
頻率老化 |
f_age |
這包含在頻率容差規(guī)范中。 |
+25 °C,第一年 |
深圳市壹兆電子科技有限公司
晶振聯(lián)系人:龔成
石英晶振振蕩器電話:0755--27876236
QQ:769468702
進(jìn)口晶振手機(jī):13590198504
陶瓷晶振郵箱:[email protected]
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X1G0051810304晶振,SG-8101CG編程晶振,汽車耐高溫晶振X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON
編碼 | 型號 | 頻率 | 尺寸 | 輸出方式 | 電源電壓 | 工作溫度 | 頻率偏差 |
X1G0051810270 | SG-8101CG | 20.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810271 | SG-8101CG | 29.491200 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810272 | SG-8101CG | 20.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810273 | SG-8101CG | 12.500000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810274 | SG-8101CG | 28.672000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810275 | SG-8101CG | 25.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0051810276 | SG-8101CG | 40.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0051810278 | SG-8101CG | 26.600000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810279 | SG-8101CG | 48.896000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810280 | SG-8101CG | 24.545454 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810281 | SG-8101CG | 33.333333 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810282 | SG-8101CG | 14.318180 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810284 | SG-8101CG | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810285 | SG-8101CG | 40.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810286 | SG-8101CG | 25.248000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810287 | SG-8101CG | 40.970875 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810300 | SG-8101CG | 2.048000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810301 | SG-8101CG | 6.500000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810302 | SG-8101CG | 30.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810303 | SG-8101CG | 11.289600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810304 | SG-8101CG | 26.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810305 | SG-8101CG | 75.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810306 | SG-8101CG | 24.576000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810308 | SG-8101CG | 4.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810309 | SG-8101CG | 29.999250 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810310 | SG-8101CG | 48.004800 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810311 | SG-8101CG | 6.144000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810313 | SG-8101CG | 16.600000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810314 | SG-8101CG | 37.210000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810320 | SG-8101CG | 16.480000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810322 | SG-8101CG | 36.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810323 | SG-8101CG | 14.318180 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810325 | SG-8101CG | 6.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810329 | SG-8101CG | 4.096000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810330 | SG-8101CG | 21.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810331 | SG-8101CG | 13.560000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810332 | SG-8101CG | 38.880972 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810336 | SG-8101CG | 32.256000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810344 | SG-8101CG | 37.125000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810345 | SG-8101CG | 12.800000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810347 | SG-8101CG | 20.480000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0051810348 | SG-8101CG | 40.960000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0058810005 | SG2520EGN | 156.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.84 mm | LV-PECL | 3.135 to 3.465 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059010004 | SG2520VGN | 156.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.84 mm | LVDS | 3.135 to 3.465 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059010007 | SG2520VGN | 156.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.84 mm | LVDS | 1.710 to 1.890 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059010008 | SG2520VGN | 156.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.84 mm | LVDS | 2.375 to 2.625 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059410003 | SG2520VHN | 156.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.84 mm | LVDS | 1.710 to 1.890 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0059410005 | SG2520VHN | 156.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.84 mm | LVDS | 3.135 to 3.465 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0059410009 | SG2520VHN | 156.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.84 mm | LVDS | 2.375 to 2.625 V | -40 to 105 °C | +/-20 ppm |
X1G0059510004 | SG2520CAA | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510006 | SG2520CAA | 12.288000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510007 | SG2520CAA | 24.576000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510009 | SG2520CAA | 25.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510010 | SG2520CAA | 20.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510013 | SG2520CAA | 24.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510014 | SG2520CAA | 11.289600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510015 | SG2520CAA | 8.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510018 | SG2520CAA | 14.745600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510019 | SG2520CAA | 16.666600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510020 | SG2520CAA | 22.579200 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510021 | SG2520CAA | 33.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510022 | SG2520CAA | 33.333300 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510023 | SG2520CAA | 40.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510024 | SG2520CAA | 48.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510025 | SG2520CAA | 50.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G0059510027 | SG2520CAA | 54.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1B0003910001 | SG-3031CM | 32.768kHz | 3.20 x 1.50 x 0.90 mm | CMOS | 1.200 to 5.500 V | -40 to 105 °C | +5 +/-23 ppm |
X1B000401A001 | SG-3031CMA | 32.768kHz | 3.20 x 1.50 x 0.90 mm | CMOS | 1.200 to 5.500 V | -40 to 105 °C | +5 +/-23 ppm |
X1B0003510001 | TG-3541CE | 32.768kHz | 3.20 x 2.50 x 1.00 mm | CMOS | 1.500 to 5.500 V | -40 to 105 °C | +0 +/-1.9 ppm |
X1B0003510002 | TG-3541CE | 32.768kHz | 3.20 x 2.50 x 1.00 mm | CMOS | 1.500 to 5.500 V | -40 to 105 °C | +0 +/-3.8 ppm |
X1B000361A001 | TG-3541CEA | 32.768kHz | 3.20 x 2.50 x 1.00 mm | CMOS | 1.500 to 5.500 V | -40 to 105 °C | +0 +/-1.9 ppm |
X1B000361A002 | TG-3541CEA | 32.768kHz | 3.20 x 2.50 x 1.00 mm | CMOS | 1.500 to 5.500 V | -40 to 105 °C | +0 +/-3.8 ppm |
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