日本大真空KDS晶振,DSR211STH貼片熱敏晶振,1RAK38400CKA進(jìn)口手機(jī)晶振
頻率:19.2M-55.2MHZ
尺寸:2.0mm x 1.6mm
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):KDS晶振是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性貼片封裝石英晶振晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
日本大真空KDS晶振,DSR211STH貼片熱敏晶振1RAK38400CKA 進(jìn)口手機(jī)晶振
石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):KDS晶振是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性貼片封裝石英晶振晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
日本大真空KDS晶振,DSR211STH貼片熱敏晶振1RAK38400CKA 進(jìn)口手機(jī)晶振
項(xiàng)目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
1RAK38400CKA條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
19.2M-55.2MHZ |
請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 |
VCC |
2.6-3.3V |
請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -10℃ to +70℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://ellentracy.cn |
H: -30℃ to +85℃ |
|||
|
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±2.5× 10-6 |
|
L: ±2.0× 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
10pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
KDS有源晶振產(chǎn)品規(guī)格書:
未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的溫補(bǔ)晶體振蕩器產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。
通電不建議從中間電位和/或極快速通電,深圳進(jìn)口晶振代理商否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
所有石英晶體振蕩器和實(shí)時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。電源線路電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)未用輸入終端的處理
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KDS晶振集團(tuán)實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展。實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo)。
KDS晶振進(jìn)口晶振編碼所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī)。為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系。
消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,KDS進(jìn)口貼片晶振減少廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時做出反應(yīng)。
對我們的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn),同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境。公司的各項(xiàng)能源、有源晶體振蕩器資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平。
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